零声表面波频率温度系数方向的硅酸镓镧晶体生长

摘要

采用提拉法生长了高质量、大尺寸、结构完整的声表面波零温度系数切向LGS晶体。XRD图谱显示,生长的晶体为单一相LGS晶体,晶格常数为a=0.816274 nm,c=0.509253 nm,密度为5.7463 g/cm3。压电常数、介电常数、热膨胀性能等与传统方向生长的晶体一致。用此方向生长的LGS晶体制作声表面波频率温度性能优化的切片,只需要垂直生长方向进行切割,可以大大简化晶体的加工工艺、提高LGS晶体的利用率,节省材料成本。