低凹陷的铜化学机械抛光

摘要

本发明公开了铜化学机械抛光(CMP)制剂、方法和系统。CMP制剂包含颗粒材料、至少两种或更多种氨基酸、氧化剂、腐蚀抑制剂，并且其余为水。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年4月27日提交的美国临时申请No.62/153,213的权益。该临时申请的公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明总体涉及半导体晶片的化学机械抛光(CMP)。更具体地，本发明涉及用于CMP含铜(Cu)-衬底的低凹陷(dishing)制剂。CMP抛光制剂、CMP抛光组合物或CMP抛光料浆在本发明中可互换使用。

背景技术

铜由于其低电阻率、高可靠性和可扩展性是用于集成电子器件的制造中使用的互连金属的当前材料选择。铜化学机械抛光过程是从嵌入的沟槽结构除去铜覆盖层而同时以低金属损耗实现总体抛光所必须的。

随着先进的技术节点，对于减少金属凹陷和金属损耗的需要变得越来越重要。任何新的抛光制剂也必须维持高去除速率、对屏障材料的高选择性和低缺陷率。

用于铜CMP的CMP制剂已在现有技术中公开，例如，在US20040175942、US6773476和US8236695中。但是，公开的制剂不能满足高去除速率和低凹陷的性能需要，这对于先进的技术节点变得越来越具有挑战性。

本发明公开了开发用于满足先进技术节点的低凹陷和高去除速率的挑战性需求的整体铜CMP抛光制剂。

发明内容

在一个方面，本发明提供了一种铜化学机械抛光(CMP)制剂，其包含：

颗粒材料，

至少两种氨基酸，

氧化剂，

腐蚀抑制剂，

并且

其余为水。

在另一个方面，本发明提供了一种含铜半导体衬底的化学机械抛光方法，所述方法包括下列步骤：

提供具有含铜表面的所述半导体衬底；

提供抛光垫；

提供化学机械抛光(CMP)制剂，其包含：

颗粒材料，

至少两种氨基酸，

氧化剂，

腐蚀抑制剂，

并且

其余为水；

使所述半导体衬底的所述表面与所述抛光垫和所述化学机械抛光制剂接触；以及

抛光所述半导体衬底的所述表面；

其中所述含铜表面的至少一部分与所述抛光垫和所述化学机械抛光制剂二者接触。

在又一个方面，本发明提供了一种化学机械抛光的系统，所述系统包括：

具有含铜表面的半导体衬底；

提供抛光垫；

提供化学机械抛光(CMP)制剂，其包含：

颗粒材料，

至少两种氨基酸，

氧化剂，

腐蚀抑制剂，

并且

其余为水；

其中所述含铜表面的至少一部分与所述抛光垫和所述化学机械抛光制剂二者接触。

所述颗粒材料包括，但不限于，火成二氧化硅、胶体二氧化硅、火成氧化铝、胶体氧化铝、氧化铈、二氧化钛、氧化锆、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、云母、水合硅酸铝、及其混合物。所述颗粒材料的浓度范围可以是0.001至0.25重量％。

包括衍生物的多种氨基酸为含有胺和羧酸官能团的有机化合物。其它官能团也可存在于氨基酸结构中。可用于组合物中的氨基酸包括，但不限于，氨基乙酸(也称为甘氨酸)、丝氨酸、赖氨酸、谷氨酰胺、L-丙氨酸、DL-丙氨酸、β-丙氨酸、亚氨乙酸、天冬酰胺、天冬氨酸、缬氨酸、肌氨酸、N-二(羟乙基)甘氨酸(bicine)、N-三(羟甲基)甲基甘氨酸(tricin)、脯氨酸及其混合物。氨基酸的优选组合包括甘氨酸(氨基乙酸)、丙氨酸、N-二(羟乙基)甘氨酸和肌氨酸。氨基酸的浓度在约0.01％至约8重量％范围内，优选0.05％至约5重量％，且更优选约0.25％至约2重量％。料浆中使用的一种氨基酸与另一种氨基酸的重量浓度比范围为从1:99到99:1，优选从10:90到90:10，更优选从25:75到75:25。

腐蚀抑制剂包括，但不限于，含氮环状化合物，例如1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并三唑、1-羟基苯并三唑、4-羟基苯并三唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑和苯并咪唑。也可以使用苯并噻唑，例如2,1,3-苯并噻二唑、三嗪硫醇、三嗪二硫醇、和三嗪三硫醇。优选的抑制剂是1,2,4-三唑、5-氨基三唑和异氰脲酸酯化合物，例如1,3,5-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯。腐蚀抑制剂以如下范围的浓度水平引入：按重量计约0.1ppm至约20,000ppm，优选按重量计约20ppm至约10,000ppm，且更优选按重量计约50ppm至约1000ppm。

氧化剂包括，但不限于，过氧化氢、重铬酸铵、高氯酸铵、过硫酸铵、过氧化苯甲酰、溴酸盐、次氯酸钙、硫酸高铈、氯酸盐、三氧化铬、三氧化铁、氯化铁、碘酸盐、碘、高氯酸镁、二氧化镁、硝酸盐、高碘酸、高锰酸、重铬酸钾、铁氰化钾、高锰酸钾、过硫酸钾，铋酸钠、亚氯酸钠、重铬酸钠、亚硝酸钠、过硼酸钠、硫酸盐、过氧乙酸、脲-过氧化氢、高氯酸、二叔丁基过氧化物、单过硫酸盐、二过硫酸盐及其组合。所述氧化剂的浓度范围为约0.1至约20重量％，优选约0.25至约5重量％。

所述CMP制剂还包含表面活性剂，所述表面活性剂包括，但不限于，苯基乙氧基化物表面活性剂、炔属二醇表面活性剂、硫酸盐或磺酸盐表面活性剂、甘油丙氧基化物、甘油乙氧基化物、聚山梨酯表面活性剂、非离子型烷基乙氧基化物表面活性剂、甘油丙氧基化物-嵌段-乙氧基化物、氧化胺表面活性剂、乙醇酸乙氧基化物油基醚、聚乙二醇、聚环氧乙烷、乙氧基化醇、乙氧基化物-丙氧基化物表面活性剂、聚醚消泡分散体及其组合。表面活性剂的浓度范围可以是0.001-0.5重量％，优选在0.01至0.25重量％之间。

所述CMP制剂还包含选自pH调节剂、杀生物剂或生物防腐剂、分散剂和润湿剂中的至少一种。

附图说明

在形成本说明书的材料部分的附图中显示了：

图1描绘了包含两种氨基酸的制剂I和包含仅一种氨基酸的制剂II的铜抛光速率。

图2描述了包含两种氨基酸的制剂I和包含仅一种氨基酸的制剂II的凹陷性能。

具体实施方式

本发明公开了开发用于先进技术节点的整体铜CMP抛光组合物。该制剂显示改善的凹陷性能、较低的铜蚀刻速率。

制剂包含颗粒材料、两种或更多种氨基酸、氧化剂、铜腐蚀抑制剂，且制剂的其余部分是液体载体。

一般地，可以使用广泛的颗粒材料或颗粒。颗粒可以通过多种制造和加工技术获得，包括但不限于热处理、溶液生长处理、原矿的开采和研磨到适当尺寸、以及快速热分解。材料一般可以如制造商供应的加入组合物中。某些类型的颗粒材料作为研磨材料以更高浓度用于组合物中。但是，传统地不用作CMP料浆中的研磨剂的其它颗粒材料也可以用于提供有利的结果。

代表性的颗粒材料包括在本发明料浆的使用条件下惰性的多种无机和有机材料。颗粒材料包括，但不限于火成二氧化硅、胶体二氧化硅、火成氧化铝、胶体氧化铝、氧化铈、二氧化钛、氧化锆、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、云母、水合硅酸铝及其混合物。颗粒具有约4nm-约10,000nm范围、优选约4nm-约1,000nm、且更优选约4nm-约400nm的粒径。颗粒可以以多种物理形式存在，例如但不限于薄片、碎片聚集体和球形种类。

优选的颗粒材料是胶体二氧化硅。更优选的是具有非常低水平的痕量金属杂质的胶体二氧化硅。可以使用的高纯度胶体二氧化硅的实例是从Fuso Chemical Company(日本)获得的Fuso PL-3、PL2、PL3H和PL3L高纯度胶体二氧化硅。

不同粒径和类型的胶体二氧化硅颗粒的混合物也可以产生改善的性能。

颗粒材料浓度可以在0.001-0.25重量％的范围内。

制剂包含至少两种氨基酸或至少两种螯合剂(所述氨基酸是螯合剂)。

多种氨基酸和衍生物(本发明中称为氨基酸)可以用于制备CMP制剂。氨基酸定义为包含胺和羧酸官能团的有机化合物。另外的官能团也可以存在于氨基酸结构中。氨基酸可以用于组合物中，包括但不限于氨基乙酸(也称为甘氨酸)、丝氨酸、赖氨酸、谷氨酰胺、L-丙氨酸、DL-丙氨酸、β-丙氨酸、亚氨基乙酸(iminoacetic acid)、天冬酰胺、天冬氨酸、缬氨酸、肌氨酸、N-二(羟乙基)甘氨酸、N-三(羟甲基)甲基甘氨酸、脯氨酸及其混合物。优选的氨基酸组合包括甘氨酸(氨基乙酸)、丙氨酸、N-二(羟乙基)甘氨酸和肌氨酸。

制剂中氨基酸的存在已发现影响CMP过程中铜去除的速率。但是，增加的氨基酸水平提高铜的蚀刻速率，这是不希望的。因此，浓度水平调节为实现铜去除速率和蚀刻速率之间可接受的平衡。

通常，氨基酸的浓度在约0.01％-约16％重量的范围内，优选0.05％-约5％重量和更优选约0.25％-约2％重量。

料浆中使用的一种氨基酸与另一种氨基酸的重量浓度比率范围为1:99-99:1，优选10:90-90:10，更优选25:75-75:25。

制剂可以包含腐蚀抑制剂以在CMP过程中限制金属的腐蚀和蚀刻。腐蚀抑制剂通过物理吸附或化学吸附在金属表面上形成保护膜。因此，腐蚀抑制剂的功能是保护铜表面免于CMP过程中蚀刻和腐蚀的影响。

腐蚀抑制剂包括但不限于含氮环状化合物如1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并三唑、1-羟基苯并三唑、4-羟基苯并三唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑、5-氨基三唑和苯并咪唑。也可以使用苯并噻唑如2,1,3-苯并噻二唑、三嗪硫醇(triazinethiol)、三嗪二硫醇(triazinedithiol)和三嗪三硫醇(triazinetrithiol)。优选的抑制剂是1,2,4-三唑和5-氨基三唑。

异氰脲酸酯化合物如1,3,5-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯也发现可用于腐蚀抑制和性能改善。

腐蚀抑制剂以按重量计约0.1ppm-约20,000ppm、优选约20ppm-约10,000ppm和更优选50ppm-约1000ppm的范围中的浓度水平加入。

氧化剂执行氧化功能并有利于晶片表面的铜转化为CuOH、Cu(OH)₂、CuO或Cu₂O的水合铜化合物。

氧化剂包括，但不限于过氧化氢、重铬酸铵、高氯酸铵、过硫酸铵、过氧化苯甲酰、溴酸盐、次氯酸钙、硫酸高铈、氯酸盐、三氧化铬、三氧化铁、氯化铁、碘酸盐、碘、高氯酸镁、二氧化镁、硝酸盐、高碘酸、高锰酸、重铬酸钾、铁氰化钾、高锰酸钾、过硫酸钾，铋酸钠、亚氯酸钠、重铬酸钠、亚硝酸钠、过硼酸钠、硫酸盐、过氧乙酸、脲-过氧化氢、高氯酸、二叔丁基过氧化物、单过硫酸盐、二过硫酸盐及其组合

优选地氧化剂在使用时或在这之前不久加入制剂中。也可能在合并其它组分时加入氧化剂，尽管如此形成的组合物在较长储存状态下的稳定性必须加以考虑。

氧化剂具有约0.1％-约20％重量，优选约0.25％-约5％重量范围的浓度。

表面活性剂在添加到这些制剂中时也发现具有有利的减少凹陷和缺陷的作用。表面活性剂可以是非离子型、阳离子型、阴离子型或两性离子型的。

表面活性剂的实例包括，但不限于苯基乙氧基化物类型的表面活性剂如 P40(辛基苯氧基聚乙氧基乙醇)和炔属二醇表面活性剂如607、 800、 810、 960、 980、Surfynol 104E、Surfynol 465、Surfynol 485、Surfynol PSA 336、Surfynol FS85、Surfynol SE、Surfynol SE-F；阴离子型表面活性剂如硫酸盐或磺酸盐表面活性剂；甘油丙氧基化物；甘油乙氧基化物；聚山梨酯表面活性剂如Tween 20、Tween40、Tween 60、Tween 80,非离子型烷基乙氧基化物表面活性剂如Brij LA-4；甘油丙氧基化物-嵌段-乙氧基化物；氧化胺表面活性剂如Tomamine AO-455和Tomamamine AO-405；乙醇酸乙氧基化物油基醚表面活性剂；聚乙二醇；聚环氧乙烷；乙氧基化醇如Tomadol 23-6.5、Tomadol 91-8、carbowet 13-40；乙氧基化物-丙氧基化物表面活性剂如Tergitol Minfoam 1X、Tergitol Minfoam 2X；聚醚消泡分散体如DF204及其它表面活性剂。用于有效降低Cu线凹陷的优选表面活性剂包括苯基乙氧基化物(例如，Nonidet P40)、炔属二醇表面活性剂(例如，Surfynol 104E、 607、 800、 810)、乙氧基化物-丙氧基化物表面活性剂如Tergitol Minfoam 1X、聚醚分散体(例如，DF204)。表面活性剂浓度可以在0.001-0.5％、更优选0.01-0.25％的范围内。

用于有效降低Cu线凹陷的优选表面活性剂包括苯基乙氧基化物(例如，Nonidet P40)、炔属二醇表面活性剂(例如，Surfynol 104E、 607、 800、 810)、乙氧基化物-丙氧基化物表面活性剂如Tergitol Minfoam 1X、聚醚分散体(例如，DF204)。表面活性剂浓度可以在0.001-0.5％、更优选0.01-0.25％的范围内。

制剂还可以包含其它任选的添加剂如杀生物剂或生物防腐剂、分散剂、湿润剂、pH调节剂等。

CMP组合物可以包含杀生物剂，即生物生长抑制剂或防腐剂以防止储存过程中细菌和真菌的生长。生物生长抑制剂包括，但不限于四甲基氯化铵、四乙基氯化铵、四丙基氯化铵、烷基苯甲基二甲基氯化铵和烷基苯甲基二甲基氢氧化铵，其中烷基链范围为1-约20个碳原子、亚氯酸钠和次氯酸钠。一些商购可得的防腐剂包括Dow Chemicals的KATHON^TM(如Kathon>TM产品家族及Lanxess的PreventolTM家族。更多的公开于美国专利No.5,230,833(Romberger等)和美国专利申请No.US>

pH-调节剂包括，但不限于氢氧化钠、氢氧化铯、氢氧化钾、氢氧化铯、氢氧化铵、有机氢氧化季铵(例如，四甲基氢氧化铵)及其混合物。

分散剂可以用于改善颗粒的胶体稳定性。分散剂可以包含表面活性剂和聚合物。分散剂的实例包括聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸。

制剂的其余部分是水，其提供液体组分的主要部分。有利地，所述水是去离子(DI)水。

制剂的pH范围可以为2-12，更优选4-9和最优选6-8。

制剂可以以浓缩形式制备并在抛光时用DI水稀释以降低与运输和操作相关的费用。稀释范围可以为1份料浆浓缩物:0份水至1份料浆浓缩物:1000份水，或1份料浆浓缩物:3份水至1份料浆浓缩物:100份水，或1份料浆浓缩物:5份水至1份料浆浓缩物:50份水。

本发明的制剂用于抛光具有铜互连线的图案化晶片以提供铜的高去除速率和低的凹陷。

铜CMP一般以三个步骤完成。在第一步骤中，整体铜用高去除速率的抛光条件从图案化的晶片除去并形成抛光的表面。在第二步骤中，进行更高控制的抛光以除去剩余的铜而减少凹陷，且然后在屏障层处停止。第三步骤包括去除屏障层。本发明的制剂可以用于如上所述的步骤1和2中。在步骤1中，更高的下压力或平台速度可以用于以高去除速率抛光铜，且较低下压力或较低平台速度用于铜CMP的步骤2。通常，第一步骤抛光以2.5psi或更高的下压力进行。第二步骤抛光以1.5psi或更低的下压力进行。希望高的铜去除速率以对于晶片生产获得可接受的产量。优选地第二步骤CMP的所需CMP去除速率为至少或更高，更优选高于对于第一步骤，所需的去除速率高于

本发明的制剂能够以对于屏障层或者抛光停止层的高选择性抛光铜。铜和屏障层之间优选的去除速率选择性高于50。这些制剂可以用于多种使用铜或基于铜的合金作为互连材料及一系列可能的屏障/抛光停止层(包括，但不限于Ta、TaN、Ti、TiN、Co、Ru)的集成方案中。

包含两种或更多种氨基酸的本发明制剂允许料浆配置为使得去除速率与利用包含仅一种氨基酸的制剂获得的那些相当，且仍提供凹陷显著减少的性能，在优选的实施方式中，包含两种或更多种氨基酸的料浆制剂的去除速率在100X100μm线结构上提供低于75％凹陷率的凹陷r和与包含单一氨基酸的料浆制剂相比至少70％的去除速率。在更优选的实施方式中，包含两种或更多种氨基酸的料浆制剂的去除速率在100X100μm线结构上提供低于60％凹陷率的凹陷r和与包含单一氨基酸的料浆制剂相比至少75％的去除速率。

本发明进一步通过以下实施例说明。

实施例

一般实验过程

本文描述的相关方法需要使用前述料浆来化学机械抛光由铜构成的衬底。

在该方法中，衬底(例如，具有铜表面的晶片)面向下置于固定地附着于CMP抛光机的可旋转平台的抛光垫上。以这种方式，待抛光和平面化的衬底与抛光垫直接接触。晶片承载系统或抛光头用于保持衬底在适当位置并在平台和衬底旋转的同时，在CMP加工过程中针对衬底的背侧施加向下的压力。抛光制剂在CMP加工过程中施加(通常连续地)在垫上以实现材料的去除而平面化衬底。

本文描述的抛光料浆和相关方法对于广泛衬底(包括大多数衬底)的CMP是有效的，特别可用于抛光铜衬底。

在以下给出的实施例中，CMP实验使用以下给出的程序和实验条件进行。

用于实施例中的CMP设备是由Applied Materials,3050Boweres Avenue,Santa Clara,California,95054制造。

抛光用93RPM的平台速度以200mL/min料浆流速在来自Dow Chemicals的垫上进行。对于去除速率数据，电镀的铜晶片用于抛光。凹陷数据在具有TEOS介电质中的铜线及Ta/TaN屏障层的MIT854图案化晶片上获得。图案化晶片的抛光包括在2.5psi下压力下抛光1分钟用于第一抛光步骤，接着以1.5psi抛光直到限定的抛光终点。限定的终点是铜从图案化晶片表面清除后20秒，如在上通过光学终点技术检测的。凹陷测量使用轮廓测量技术进行。

工作实施例

实施例1

表1中描述了CMP制剂，其均包含：215ppm的1,2,4-三唑作为腐蚀抑制剂、63ppm的胶体二氧化硅(平均粒度MPS为约48nm，由Fuso供应)；550ppm的Dynol 607，1重量％过氧化氢，但是包含不同组合的氨基酸，其余为水。

表1

表2

表2中示出了在1.5psi和2.5psi下压力下的Cu去除速率以及来自制剂的100x100μm线结构(line structure)上的凹陷数据二者。凹陷数据在1.5下压力下抛光图案化的晶片时获得，停止于屏障层。

从数据结果中显而易见，具有组合的氨基酸的制剂导致凹陷的减少而同时不损害去除速率。甚至可能用氨基酸的组合增大去除速率而同时减少凹陷，如制剂3所示。

在这些双重螯合剂组合中，甘氨酸/N-二(羟乙基)甘氨酸或甘氨酸/肌氨酸在100x100μm线上分别提供和的相对低的宽铜线凹陷。

实施例2

表3中描述了制剂9-14，其均包含：甘氨酸、215ppm的1,2,4-三唑作为腐蚀抑制剂、1.9ppm的Kathon II作为杀生物剂、和62.5ppm的胶体二氧化硅(MPS为约48nm，由Fuso供应)作为研磨剂、1.0重量％H₂O₂作为氧化剂，其余为水。所有制剂都用各种添加剂制得。制剂12-16均包含N-二(羟乙基)甘氨酸。

表3

所述制剂用各种量的甘氨酸和N-二(羟乙基)甘氨酸制得，以提供与用仅包含甘氨酸的制剂获得的那些去除速率相似的去除速率。

表4汇总了表3中所列制剂的Cu去除速率和100x100μm线的凹陷。所列数据相对于不使用N-二(羟乙基)甘氨酸的制剂。

如表4所示，很明显，使用浓度如此选择的甘氨酸与N-二(羟乙基)甘氨酸的组合以提供可比的去除速率，取得了凹陷的急剧减少。最佳凹陷性能使用Non-idet P40添加剂和甘氨酸与N-二(羟乙基)甘氨酸的组合获得。

表4

实施例3

制备制剂，以将包含一种氨基酸的制剂与包含两种氨基酸的组合的制剂相比较。

制剂15-17也包含215ppm的1,2,4-三唑作为腐蚀抑制剂、1.9ppm的Kathon II作为杀生物剂、0.1％的Nonidet P40作为凹陷减少剂(dishing reducer)和62.5ppm的胶体二氧化硅(MPS为约48nm，由Fuso供应)作为研磨剂、1.0重量％H₂O₂作为氧化剂，其余为水，如表5中所描述的那样。

表5

制剂号甘氨酸浓度(重量％)DL-丙氨酸浓度(重量％)150.801601.8170.3750.535

所述制剂的Cu去除速率和100x100μm线的凹陷如表6中所示。

表6

与单独包含甘氨酸或丙氨酸的制剂相比，包含甘氨酸和丙氨酸二者的制剂(制剂17)表现出显著减少的凹陷，而不明显损害Cu去除速率。

实施例4

制备了制剂18(一种氨基酸，仅甘氨酸)和制剂19(两种氨基酸，甘氨酸和N-二(羟乙基)甘氨酸)以在1.5psi的下压力下提供高的铜去除速率。制剂还包含水、0.0215wt％的1,2,4-三唑、1.9ppm的Kathon II、0.025重量％的高纯度胶体二氧化硅(MPS为约48nm，由Fuso供应)和1.0重量％H₂O₂。两种制剂都具有约7.25的pH。

制剂示于表7。

表7

所述制剂的Cu去除速率和100x100μm线的凹陷示于表8。

表8

如表8所示，甘氨酸和N-二(羟乙基)甘氨酸的组合(制剂19)提供了比仅基于甘氨酸的制剂显著减少的在100x100μm线特征上的Cu线凹陷。

实施例5

制备了制剂20(一种氨基酸，仅甘氨酸)和制剂21(两种氨基酸，甘氨酸和DL-丙氨酸)以在1.5psi的下压力下提供高的铜去除速率。制剂还包含水、0.0215wt％的1,2,4-三唑、1.9ppm的Kathon II、0.025重量％的高纯度胶体二氧化硅(MPS为约48nm，由Fuso供应)和1.0重量％H₂O₂。两种制剂都具有约7.25的pH。

制剂示于表9。

表9

制剂号甘氨酸浓度(重量％)DL-丙氨酸浓度(重量％)200.80210.60.8

所述制剂的Cu去除速率和100x100μm线的凹陷示于表10。

表10

如表10所示，两种氨基酸即甘氨酸和DL-丙氨酸的组合(制剂21)提供了比仅基于甘氨酸的制剂显著减少的在100x100μm线特征上的Cu线凹陷。

实施例6

表11中示出了特定制剂I和II。

制剂I具有双重螯合剂，即两种氨基酸。制剂II仅具有一种氨基酸。制剂的pH约为6.15-6.25。

将包含两种氨基酸的制剂I的CMP性能与包含仅一种氨基酸的制剂II进行比较。结果如图1和2中所示。

表11

更特别地，铜抛光速率在图1中示出。凹陷性能在图2中示出。

从图1和2中显而易见的，当使用具有两种氨基酸的料浆时，获得了关于去除速率(增大)和跨各种线宽的凹陷(急剧减小)的性能的明显改善。

本发明中的制剂生产和优化提供了凹陷性能的显著改善。跨宽范围的铜线宽度的改善表明凹陷对特征尺寸不敏感。

本发明上面所列的实施方式，包括工作实施例，是本发明可制得的多种实施方式的示例。设想可以使用所述方法的多种其它构造，并且所述方法中使用的材料可以选自除明确公开的那些以外的多种材料。