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一种异质结阵列基紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种异质结阵列基紫外探测器及其制备方法,所述探测器包括基底、导电薄膜,所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的Sm2O3@ZnO异质结阵列和至少一个N型欧姆电极,所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极;所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列为ZnO纳米管阵列和填充于ZnO纳米管内的Sm2O3纳米线构成。由于本发明的核心结构为由ZnO纳米管阵列和贯穿ZnO纳米管的Sm2O3纳米线构成的异质结阵列,可以充分提高光生载流子的利用率,具有外量子效率和灵敏度高、体积小巧等诸多优点。

著录项

  • 公开/公告号CN106057960A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰建龙;

    申请/专利号CN201610490299.2

  • 发明设计人 兰建龙;

    申请日2016-06-28

  • 分类号H01L31/109;H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y15/00;

  • 代理机构广州三环专利代理有限公司;

  • 代理人温旭

  • 地址 545600 广西壮族自治区柳州市鱼峰区乐群路南二巷1号之七十二4栋1单元502室

  • 入库时间 2023-06-19 00:45:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/109 申请公布日:20161026 申请日:20160628

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-07-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/109 申请日:20160628

    实质审查的生效

  • 2016-10-26

    公开

    公开

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