一种通用的相转换策略构建BiVO4纳米薄片@WO3阵列异质结光阳极

摘要

提出一种制备BiVO4纳米薄片@WO3纳米棒和纳米片薄膜的相转换策略.这种策略包括三步水热过程(WO3→WO3/Bi2WO6→WO3/BiVO4).表征结果表明:大量的BiVO4纳米薄片原位生长在WO3纳米棒和纳米片阵列薄膜表面,从而形成WO3/BiVO4异质结.制备的WO3/BiVO4异质结薄膜作为光阳极被用于光电化学分解水,并展现出优异的光电化学活性.在可见光照射和没有沉积助催化剂的情况下,WO3/BiVO4纳米棒和纳米片光阳极的光电流密度分别达到约1.56和1.20 mA/cm2(V=1.23 V(vs RHE)).