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氮化硅膜的形成方法以及氮化硅膜的形成装置

摘要

本发明提供一种氮化硅膜的形成方法以及氮化硅膜的形成装置。氮化硅膜的形成方法包括:将被处理体收容于反应室内的收容工序;在收容到所述反应室内的被处理体上形成氮化硅膜的氮化硅膜形成工序;向收容有形成有所述氮化硅膜的被处理体的反应室供给具有不饱和键的碳氢化合物,对形成的所述氮化硅膜的表面进行碳封端的碳吹扫工序;将形成有所述表面被碳封端了的氮化硅膜的被处理体向所述反应室外输出的输出工序。

著录项

  • 公开/公告号CN105990101A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN201610156582.1

  • 发明设计人 佐藤敬信;

    申请日2016-03-18

  • 分类号H01L21/02;C23C16/34;C23C16/56;C23C16/455;

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 00:39:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20161005 申请日:20160318

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-10-05

    公开

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