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在硅基体上刻蚀孔洞的方法、含孔洞硅基体和半导体器件

摘要

本发明公开了一种在硅基体上刻蚀孔洞的方法,包括以下步骤:在硅基体上镀上一层银膜;将镀有银膜的硅基体进行退火处理得到具有银颗粒表面的硅基体;将具有银颗粒表面的硅基体进行金属辅助化学刻蚀;利用硝酸溶液去除银颗粒。还提供含孔洞的硅基体以及基于该硅基体的半导体器件。制备的微纳孔洞结构可以在硅发光器件,太阳能电池,传感器等领域得到诸多应用,能够具有优异的电学性能和机械性能。

著录项

  • 公开/公告号CN105967139A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201610317925.8

  • 申请日2016-05-12

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 00:31:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-24

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20160928 申请日:20160512

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20160512

    实质审查的生效

  • 2016-09-28

    公开

    公开

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