法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-24
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20160928 申请日:20160512
发明专利申请公布后的驳回
2016-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20160512
实质审查的生效
2016-09-28
公开
公开
机译: 通过在硅基体上沉积高介电常数膜并将硅从基体扩散到高介电常数膜中来形成含硅金属氧化物门极电介质的方法
机译: 含硅抗反射涂层,含硅抗反射涂层,基体预涂夹层和基体预涂方法
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成