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在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法及微弧氧化电解液

摘要

本发明公开了在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法,包括以下步骤:(1)对钛基体进行预处理;(2)将预处理后的钛基体连接到阳极,置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化,反应5~20min,在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜;所述微弧氧化电解液包括以下成分:氢氧化钡0.2~0.8mol/L氢氧化锶0.2~0.8mol/L电解液添加剂:PVP0.01~0.06mol/L;EDTA 0.01~0.08mol/L(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1~2小时,最后烘干。本发明能制备表面平整、致密,铁电性能良好的钛酸锶钡铁电薄膜,制备工艺简单,可在常温下进行,无需后续热处理,环保、无污染。

著录项

  • 公开/公告号CN105937047A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201610509019.8

  • 发明设计人 李文芳;王敏;张果戈;

    申请日2016-06-29

  • 分类号

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈文姬

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 00:28:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-26

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25D11/26 申请公布日:20160914 申请日:20160629

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D11/26 申请日:20160629

    实质审查的生效

  • 2016-09-14

    公开

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