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一种高导热防破裂功率半导体模块芯片连接结构

摘要

一种高导热防破裂功率半导体模块芯片连接结构,包括散热底板、绝缘陶瓷片、电路底层、下复合钼片、晶圆芯片和上复合钼片,在散热底板上从下到上依次设有绝缘陶瓷片、电路底层、下复合钼片、晶圆芯片和上复合钼片,下复合钼片由框架钼片体和导热体组成,在框架钼片体上开有通孔,导热体填实在通孔中,导热体上下端面与框架钼片体上下端面平齐。由于在晶圆芯片与散热底板之间增设了快速散热路径,这样既能降低晶圆芯片的工作温度,又能防止晶圆芯片破裂,从而提高功率半导体器件的工作稳定性和可靠性。从而延长晶圆芯片的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN105932002A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州瑞华电力电子器件有限公司;

    申请/专利号CN201610440831.X

  • 发明设计人 颜辉;陈雪筠;陈晨;武文;

    申请日2016-06-18

  • 分类号H01L23/367(20060101);H01L23/373(20060101);

  • 代理机构32211 常州市维益专利事务所;

  • 代理人周祥生;周玲

  • 地址 213200 江苏省常州市金坛区指前镇社头集镇工业集中区8号

  • 入库时间 2023-06-19 00:24:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/367 申请公布日:20160907 申请日:20160618

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-09-07

    公开

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