带有高纵横比沟槽接头以及沟槽间亚微米间距的功率器件

摘要

本发明提出了一种位于半导体衬底中的半导体功率器件，该半导体功率器件包含一个有源晶胞区和一个端接区。该半导体功率器件还包含多个栅极沟槽，形成在有源晶胞区中半导体衬底的顶部，其中每个栅极沟槽都用导电栅极材料部分填充，沟槽的顶部用高密度等离子（HDP）绝缘层填充。该半导体功率器件还包含位于栅极沟槽之间的半导体衬底的台面结构区，其中台面结构区凹陷下去，顶部台面结构表面垂直位于HDP绝缘层的顶面以下，其中覆盖在导电栅极材料上方的HDP绝缘层构成一个凸起边界限定层，包围着栅极沟槽之间有源晶胞区中的凹陷台面结构区。