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张金英; 华光平; 纪新明; 周嘉; 黄宜平;
复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室微电子研究院;
上海先进半导体制造股份有限公司;
高功率; U形多晶硅栅金属氧化物半导体; 沟槽深度; 击穿电压; 良率;
机译:通过原位沟槽深度测量最大程度地提高功率器件的产量
机译:射频功率对溅射非晶In-Ga-Zn-O薄膜及器件电学性能的影响。
机译:沟槽深度对重复雪崩低压低电压离散功率沟槽nMOSFET可靠性的影响
机译:沟槽蚀刻对0.25以下#mu#m CMOS器件的浅沟槽隔离(STI)电性能的影响
机译:反应离子刻蚀对硅表面和功率器件的电子性能的影响。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:重复的非钳位电感开关对低压沟槽功率nMOSFET的电学参数的影响
机译:电极污染的作用以及清洁和调节对高能脉冲功率器件性能的影响; IEEE电介质和电气绝缘材料特刊
机译:在沟道层中的浓度高于基极层并且沿沟槽的深度均匀分布的沟槽栅功率器件及其制造方法
机译:为了减少角部器件对垂直管芯器件的性能(浅沟槽分离)的影响,氮化STI通过以下方法形成:
机译:具有低成本和高性能的沟槽型功率半导体器件以及相同的方法
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