公开/公告号CN105742275A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201511000313.8
发明设计人 J·辛格;
申请日2015-12-28
分类号H01L23/64;H01L21/02;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-12-18 15:45:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-09
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/64 申请公布日:20160706 申请日:20151228
发明专利申请公布后的视为撤回
2016-08-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20151228
实质审查的生效
2016-07-06
公开
公开
机译: 栅极结构上方的鳍式电阻器
机译: 栅极与栅极接触之间具有导电层的鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构的形成方法
机译: 栅极与栅极接触之间具有导电层的鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构