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具有上覆栅极结构的鳍式电阻器

摘要

本发明涉及一种具有上覆栅极结构的鳍式电阻器。一种电阻器装置,包括掺有第一类型掺质的电阻器本体、设置于电阻器本体上面的绝缘层、以及设置于绝缘层上面且设置于电阻器本体上面的至少一个栅极结构。一种方法,包括对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压,该绝缘层设置于掺有第一类型掺质的电阻器本体上面,用以影响电阻器本体的电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN105742275A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201511000313.8

  • 发明设计人 J·辛格;

    申请日2015-12-28

  • 分类号H01L23/64;H01L21/02;

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2023-12-18 15:45:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/64 申请公布日:20160706 申请日:20151228

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20151228

    实质审查的生效

  • 2016-07-06

    公开

    公开

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