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一种等离子体增强化学气相沉积设备及制膜方法

摘要

本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备及制膜方法,在本发明的设备中,包括反应腔体,内部设置有上极板和下级板;将下级板划包括沉积板和槽型机构,沉积板盖设于槽型机构的槽型开口上,形成一容置空间。将槽型机构的外表面覆盖一层由绝缘材料形成的绝缘壁,只保留沉积板通入射频电压产生等离子体进行镀膜,能够保证等离子体的均匀性和稳定性,使得薄膜材料均匀的沉积在基片上,能够提高制膜质量。

著录项

  • 公开/公告号CN105714274A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都西沃克真空科技有限公司;

    申请/专利号CN201610202910.7

  • 发明设计人 向勇;傅绍英;孙赫;闫宗楷;

    申请日2016-03-31

  • 分类号C23C16/509;C23C16/26;C23C16/46;C23C16/52;

  • 代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司;

  • 代理人詹守琴

  • 地址 610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港(双流园区)东海路六段680号

  • 入库时间 2023-12-18 15:41:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-23

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/509 申请公布日:20160629 申请日:20160331

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/509 申请日:20160331

    实质审查的生效

  • 2016-06-29

    公开

    公开

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