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一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器及应用

摘要

一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器,包括绝缘衬底、单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极、导线、封装材料。单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线放置在绝缘衬底上,其两端分别焊接电极,电极分别连接导线;并用封装材料封装在绝缘衬底上,将导线与函数功能发生器连接。本发明利用单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线中的陷阱能级,实现所述的记忆存储器对不同温度的识别与存储。本发明制备工艺简便、体积小、轻巧便携,具有较高的存储密度、良好的存储信息稳定性及重复读写性能,可循环利用,适用于工业排热管道、供暖管道、地热等需要进行温度传感及探测的领域。

著录项

  • 公开/公告号CN105679363A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌大学;

    申请/专利号CN201610028127.3

  • 发明设计人 赵婕;程抱昌;

    申请日2016-01-18

  • 分类号G11C13/00;B82Y30/00;B82Y40/00;

  • 代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司;

  • 代理人施秀瑾

  • 地址 330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

  • 入库时间 2023-12-18 15:37:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-24

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C13/00 申请公布日:20160615 申请日:20160118

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20160118

    实质审查的生效

  • 2016-06-15

    公开

    公开

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