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机译:自上而下的Si纳米线技术在离散电荷存储非易失性存储器中的应用
FU JIA;
机译:具有氮化物电荷存储层的硅纳米线反馈场效应晶体管的非易失性和易失性存储特性
机译:氧化石墨烯作为纳米线场效应晶体管中电荷存储节点的非易失性存储器
机译:通过NH3氮化的GdO作为非易失性存储器应用的电荷存储层,改善了存储特性
机译:具有三栅极纳米线结构的非易失性存储器的非晶硅电荷存储层
机译:用于非易失性存储应用的肖特基单元存储技术。
机译:面向高性能非易失性存储器应用的侧面栅极In2O3纳米线铁电FET
机译:用NH3氮化GdO作为非易失性存储器应用的电荷存储层改善存储特性
机译:能够基于累积的电子离散地控制电荷存储层电势的多层非易失性半导体存储器件
机译:使用纳米线作为电荷通道和纳米颗粒作为电荷陷阱的非易失性存储电子设备及其制造方法
机译:使用通用技术的组合非易失性集成存储系统,最适合于高密度,高灵活性和高安全性的SIM卡,智能卡和电子护照应用
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