具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件

摘要

本发明涉及具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件。一种半导体器件包括在距半导体本体（100）的主表面（101z）第一距离（d1）中的掩埋掺杂区域（430,？129a,？110）。接触结构（410）从所述主表面（101z）延伸到所述掺杂区域（430,？129a,？110）。接触结构（410）包括由金属-半导体合金制成的直接邻接所述掺杂区域（430,？129a,？110）的接触层（411）。所述接触结构（410）还包括由金属或导电金属化合物制成的填充结构（412）。绝缘体结构（420）在平行于所述主表面（101z）的截面中包围所述接触结构（410）。