公开/公告号CN104282544A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司;
申请/专利号CN201410314000.9
申请日2014-07-03
分类号H01L21/28;H01L21/768;H01L29/78;H01L27/088;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张涛
地址 德国德累斯顿
入库时间 2023-12-17 03:04:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-26
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/28 申请公布日:20150114 申请日:20140703
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-02-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20140703
实质审查的生效
2015-01-14
公开
公开
机译: 用于形成半导体器件的栅极电极的方法,用于半导体器件的栅极电极结构以及根据半导体器件结构的结构
机译: 用于形成半导体器件的栅极电极的方法,用于半导体器件的栅极电极结构以及根据半导体器件结构的结构
机译: 具有掩埋栅极的无结半导体器件,包括该器件的装置以及制造该半导体器件的方法