一种双多晶自对准互补双极器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种双多晶自对准互补双极器件结构及其制作方法，在6英寸工艺线条件下即光刻最小线宽在0.5微米技术节点的工艺线上实现0.35微米工艺技术节点的工艺开发，即在不增加6英寸工艺线更高工艺水平设备预算的前提下，实现在更高一级技术水平下才能实现的互补双极工艺器件的制作，实际最小工艺尺寸达到0.3～0.35微米；并且器件性能并不会因此而有所降低，即器件各项技术指标均达到0.35微米技术节点下的技术水平，NPN管和PNP管器件特征频率达到千兆赫兹量级；基于本发明的纵向NPN和PNP管结构高度对称，器件特性高度对称，对提升推挽电路设计能力提供了工艺平台和重要保障；由于采用6英寸工艺线，因而有效降低了实际工艺制作成本。