独立于偏振的干涉仪

摘要

设备、系统和方法用于使用独立于偏振的干涉仪来检测衬底上的特征的对准。设备、系统和方法包括接收从衬底上的标记衍射或散射的光的光学元件。光学元件可以将衍射光分裂成由一个或多个检测器进行检测的多个子光束。衍射光可以可选地或者在检测之后的处理期间进行组合。系统可以基于具有任何偏振角度或状态的接收到的衍射光来确定对准和/或重叠。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年10月9日提交的美国临时申请61/888,803 的权益，并且该申请通过整体引用合并于此。

技术领域

本公开涉及诸如在光刻工艺中使用的对准传感器和对准方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上、通常是到衬底的目标部 分上的机器。例如在集成电路(IC)的制造中可以使用光刻设备。在 该实例中，备选地称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用来生成待 形成在IC的各个层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如， 硅晶片)上的目标部分(例如，包括裸片的一部分、一个或几个裸片) 上。图案的转移典型地是凭借成像到设置在衬底上的一层辐射敏感材 料(抗蚀剂)上。一般情况下，单个衬底将包含被相继地形成图案的 相邻的目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中通 过使整个图案一次曝光到目标部分上而对各目标部分进行辐照，和所 谓的扫描器，其中通过借助在给定方向(“扫描”方向)上的辐射束 扫描图案同时平行于或反平行于该方向同步地扫描衬底而对各目标 部分进行辐照。也可以通过将图案压印到衬底上而使图案从图案形成 装置转移至衬底。

典型地，对准标记被设置在衬底上以将形成在衬底上的特征精确 地定位。对准传感器对标记(例如对准标记的位置或对准标记的形状) 进行测量。测量还可以生成关于工艺变化(例如，层厚度变化、层电 容率变化、焦点变化、剂量变化等)的信息。光刻设备使用测量将特 征精确地定位。取决于传感器，X、Y测量一起进行或者单独地进行。 在一个示例中，可以在对准传感器中使用自参考干涉仪。

另一对准技术包括由较高/非零的衍射阶(例如，第+1和第-1衍 射阶)来照射对准标记并获得干涉图案，其中第0阶被阻挡。这有时 被称作暗场检测。但是第1阶衍射效率随着对准标记对比度减小而减 小，即第1阶信号越来越弱。另外，较高/非零衍射阶(例如，第+1 和第-1衍射阶)的偏振必须以45度定向偏振以便创建来自衍射辐射 的相等强度的两个图像。

发明内容

期望提供一种对具有任何偏振角度和/或状态的衍射辐射进行测 量、即独立于偏振的对准传感器。

在一个实施例中，一种光刻设备包括被配置成调节辐射束的照射 系统、被配置成保持着具有标记的衬底的衬底台和被配置成将辐射束 投影到衬底上的投影系统。光刻设备还包括被配置成沿着穿过光学系 统的光学路径接收来自标记的具有任何偏振的衍射或散射的辐射束 并且输出第一和第二光束的光学系统。光学系统包括沿着光学路径设 置的干涉测量子系统。干涉测量子系统包括被配置成使衍射或散射的 辐射束分裂以形成第一和第二光束的分束器。光学系统还包括被配置 成基于第一和第二光束来检测包含关于标记的位置的信息的相应的 第一和第二对准信号的检测器子系统。

在进一步的实施例中，一种对准传感器包括被配置成沿着穿过光 学系统的光学路径接收来自衬底的表面的具有任何偏振的衍射或散 射的辐射束并且输出第一和第二复合光束的光学系统。光学系统包括 沿着光学路径设置的干涉测量子系统。干涉测量子系统包括不影响衍 射或散射的辐射束的偏振的基本上非偏振的分束器。非偏振型分束器 被配置成使衍射或散射的辐射束分裂以形成第一和第二复合光束。光 学系统还包括沿着穿过光学系统的光学路径设置的检测器子系统。检 测器子系统被配置成基于对应的第一和第二复合光束来检测包含关 于标记的位置的信息的相应的第一和第二对准信号。

在又进一步的实施例中，一种对准传感器包括被配置成接收来自 衬底上的标记的具有任何偏振的衍射或散射的辐射束的光学系统。光 学系统包括被配置成将衍射或散射的辐射束分成第一偏振光束和不 同于第一偏振光束的第二偏振光束的第一偏振分束器。光学系统还包 括：干涉测量子系统，干涉测量子系统沿着穿过光学系统的光学路径 设置并且被配置成接收第一和第二偏振光束并基于对应的第一和第 二偏振光束输出相应的第一和第二复合光束。光学系统另外包括沿着 穿过光学系统的光学路径设置的检测器子系统。检测器子系统被配置 成基于第一和第二复合光束来检测包含关于标记的位置的信息的相 应的第一和第二对准信号。

本发明的进一步的特征和优点、以及本发明的各种实施例的结构 和操作在下面参照附图详细地进行描述。需要注意的是，本发明不限 于这里所描述的具体实施例。这样的实施例在这里被呈现用于仅说明 的目的。基于这里所包含的技术的附加实施例将对于相关领域技术人 员是显而易见。

附图说明

被合并于此并形成说明书的一部分的附图图示出本发明，并且与 描述一起进一步用于说明本发明的原理并用于使得相关领域技术人 员能够做出并使用本发明。

图1A是根据本发明的实施例的反射式光刻设备的示意性图示。

图1B是根据本发明的实施例的透射式光刻设备的示意性图示。

图2是具有输出光学器件的依赖于偏振的干涉仪的系统图的示意 性图示。

图3是包括输入和输出的依赖于偏振的干涉仪的示意性图示。

图4是根据本发明的第一实施例的独立于偏振的干涉仪的示意性 图示。

图5是包括输入和输出的根据本发明的第一实施例的独立于偏振 的干涉仪的示意性图示。

图6是根据本发明的第二实施例的独立于偏振的干涉仪的示意性 图示。

图7是根据本发明的第三实施例的独立于偏振的干涉仪的示意性 图示。

图8是根据本发明的实施例的检测具有任何偏振或状态的衍射或 散射辐射的方法的流程图。

图9是根据本发明的备选实施例的检测具有任何偏振或状态的衍 射或散射辐射的方法的流程图。

图10是根据本发明的备选实施例的检测具有任何偏振或状态的 衍射或散射辐射的方法的流程图。

本发明的特征和优点将从结合附图进行时的下面阐述的详细描 述变得更加显而易见。一般地，元件首次出现所在的附图典型地用对 应的附图标记中的最左侧数字(多个)指示出。

具体实施方式

该说明书公开了包含本发明的特征的一个或多个实施例。所公开 的实施例(多个)仅仅举例说明了本发明。本发明的范围不限于所公 开的实施例(多个)。本发明由所附的权利要求限定。

所描述的实施例(多个)和说明书中的对“一个实施例”、“实 施例”、“示例实施例”等的引用指示出所描述的实施例(多个)可 以包括特定的特征、结构或特性，但每个实施例可能并不一定包括特 定的特征、结构或特性。此外，这样的短语并不一定是指相同的实施 例。此外，当特定的特征、结构或特性与实施例有关地进行描述时， 应该理解的是，与其他实施例有关地实现这样的特征、结构或特性是 在本领域技术人员的知识内的，无论是否明确地进行了描述。

然而，在详细地描述这样的实施例之前，呈现出可以在其中实施 本发明的实施例的示例环境是有益的。

示例反射式和透射式光刻系统

图1A和图1B分别是可以在其中实施本发明的实施例的光刻设备 100和光刻设备100'示意性图示。光刻设备100和光刻设备100'各包 括以下：照射系统(照射器)IL，被配置成调节辐射束B(例如，DUV 或EUV辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被配置成支撑图案 形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并且被连 接至配置成将图案形成装置MA精确地定位的第一定位器PM；和， 衬底台(例如，晶片台)WT，被配置成保持衬底(例如，涂有抗蚀 剂的晶片)W并且被连接至配置成将衬底W精确地定位的第二定位 器PW。光刻设备100和100'还具有投影系统PS，其被配置成将通过 图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例 如，包括一个或多个裸片)C上。在光刻设备100中，图案形成装置 MA和投影系统PS是反射式的。在光刻设备100'中，图案形成装置 MA和投影系统PS是透射式的。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射式、反射 式、磁性的、电磁式、静电式或其它类型的光学部件或者其任何组合， 用于引导、成形或控制辐射B。

支撑结构MT以取决于图案形成装置MA的定向、光刻设备100 和100'的设计以及诸如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中等 的其他条件的方式保持着图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用 机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结 构MT可以例如是可根据需要被固定或可移动的框架或台。支撑结构 MT可以确保图案形成装置处于例如相对于投影系统PS的期望的位 置。

术语“图案形成装置”MA应该广义地解释为是指可以用于在辐 射束B的截面中赋予辐射束B以图案以便在衬底W的目标部分C中 创建图案的任何装置。赋予辐射束B的图案可以对应于诸如集成电路 等的正在目标部分C中被创建的器件中的特定的功能层。

图案形成装置MA可以是透射式的(如在图1B的光刻设备100' 中)或反射式的(如在图1A的光刻设备100中)。图案形成装置 MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面 板。掩模是光刻术中公知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相 移等的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例 采用小的反射镜的矩阵布置，其中的每一个可以单独地倾斜以便沿不 同方向反射传入的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射 束B中赋予图案。

术语“投影系统”PS可以涵盖任何类型的投影系统，包括折射式、 反射式、反射折射式、磁性的、电磁式和静电式光学系统或其任何组 合，视正在使用的曝光辐射或者诸如沉浸液体的使用或真空的使用等 的其他因素的情况而定。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因 为其他气体会吸收太多辐射或电子。真空环境因此可以在真空壁和真 空泵的帮助下被提供至整个光束路径。

光刻设备100和/或光刻设备100'可以是具有两个(双级)或多个 衬底台(和/或两个或多个掩模台)WT的类型的。在这样的“多级” 机器中，附加的衬底台WT可以并行地使用，或者可以在一个或多个 台上执行预备步骤而使用一个或多个其他衬底台WT用于曝光。

参见图1A和图1B，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源SO 和光刻设备100、100'可以是分开的实体，例如当源SO是受激准分子 激光器时。在这样的情况中，源SO不视为形成光刻设备100或100' 的一部分，并且辐射束B在包括了例如合适的引导反射镜和/或扩束 器的光束递送系统BD(图1B中)的帮助下从源SO传给照射器IL。 在其他情况中，源SO可以是光刻设备100、100'的整体部分—例如当 源SO是汞灯时。源SO和照射器IL与光束递送系统BD(如果需要 的话)一起可以称作辐射系统。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD (图1B中)。一般地，照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外和/ 或内径向范围(常分别称作“σ-外”和“σ-内”)可以被调整。另 外，照射器IL可以包括诸如积分器IN和聚光器CO等的各种其他部 件(图1B中)。照射器IL可以用于将辐射束B调节成在其截面中具 有期望的均匀性和强度分布。

参见图1A，辐射束B入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台) MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过图案形成装 置MA形成图案。在光刻设备100中，辐射束B被从图案形成装置(例 如，掩模)MA反射。在被从图案形成装置(例如，掩模)MA反射 之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统将辐射束B聚焦到衬 底W的目标部分C上。在第二定位器PW和位置传感器IF(例如， 干涉测量装置、线性编码器、或电容性传感器)的帮助下，可以使衬 底台WT精确地移动(例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束 B的路径中)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以 用于将图案形成装置(例如，掩模)MA相对于辐射束B的路径精确 地定位。图案形成装置(例如，掩模MA)和衬底W可以使用掩模对 准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。

参见图1B，辐射束B入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台 MT)上的图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过图案形成 装置形成图案。在穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS， 该投影系统将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有与 照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。辐射的一部分从照射系统光瞳 IPU处的强度分布发出并且在不受掩模图案处的衍射的影响的情况下 穿过掩模图案，创建了照射系统光瞳IPU处的强度分布的图像。

在第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性 编码器、或电容性传感器)的帮助下，可以使衬底台WT精确地移动 (例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类 似地，第一定位器PM和另一位置传感器(图1B中未示出)可以用 于将掩模MA相对于辐射束B的路径精确地定位(例如，在从掩模库 进行的机械检索之后或者在扫描期间)。

一般情况下，掩模台MT的移动可以在形成第一定位器PM的一 部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)的帮助下 实现。类似地，衬底台WT的移动可以利用形成第二定位器PW的一 部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器(与扫描器相对) 的情况中，掩模台MT可以仅连接至短行程致动器，或者可以被固定。 掩模MA和衬底W可以利用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记 P1、P2来对准。虽然衬底对准标记(如图示出)的占据专用目标部 分，但它们可以位于目标部分(称为划线对准标记)之间的空间中。 类似地，在一个以上的裸片设置在掩模MA上的情形中，掩模对准标 记可以位于裸片之间。

掩模台MT和图案形成装置MA可以是在真空室中，其中真空内 机器人IVR可以用来将诸如掩模等的图案形成装置移入和移出真空 室。备选地，当掩模台MT和图案形成装置MA在真空室外时，真空 外机器人可以用于与真空内机器人IVR类似的各种运送操作。真空内 和真空外机器人两者都需要校准用于任何有效载荷(例如，掩模)的 至传送站的固定运动学安装底座的平滑传送。

光刻设备100和100'可以以下面的模式中的至少一个使用：

1.在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT 保持基本静止，同时将赋予辐射束B的整个图案一次投影到目标部分 C上(即，单次静态曝光)。接着使衬底台WT在X和/或Y方向上 移位，使得不同的目标部分C可以被曝光。

2.在扫描模式中，同步地扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和 衬底台WT，而同时将赋予辐射束B的图案投影到目标部分C上(即， 单次动态曝光)。衬底台WT的相对于支撑结构(例如，掩模台) MT的速度和方向可以由投影系统PS的(缩小)放大率和图像颠倒 特性来确定。

3.在另一模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT保持基本静止 地保持着可编程图案形成装置，并且使衬底台WT移动或扫描衬底台 WT，同时将赋予辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉 冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间的 相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。该模式的操 作可以容易地应用于利用诸如在本文中提及的类型的可编程反射镜 阵列等的可编程图案形成装置的无掩模光刻术。

也可以采用在所描述的使用模式上做出的组合和/或变型或者完 全不同的使用模式。

虽然可能在该文本中对光刻设备的在IC制造中的使用进行了具 体参考，但应该理解的是，这里所描述的光刻设备可以具有诸如集成 光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、 液晶显示器(LCD)和薄膜磁头等的其他应用。本领域技术人员应该 领会到，在这样的备选应用的背景下，这里的术语“晶片”或“裸片” 的任何使用都可以视为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分” 同义。这里所提及的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道(典型地 将一层抗蚀剂施加至衬底并且使曝光后的抗蚀剂显影的工具)、量测 工具和/或检查工具中进行处理。在适用时，这里的公开可以应用于这 样的和其他的衬底处理工具。此外，衬底可以例如被处理一次以上， 以便创建多层IC，使得这里所使用的术语衬底也可以是指已经包含一 个或多个经过处理的层的衬底。

在进一步的实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，其 被配置成生成用于EUV光刻的EUV辐射的光束。一般地，EUV源 被配置在辐射系统(参见下文)中，并且对应的照射系统被配置成调 节EUV源的EUV辐射束。

在这里所描述的实施例中，术语“透镜”和“透镜元件”当上下 文允许时可以是指包括折射式、反射式、磁性的、电磁式和静电式光 学部件在内的各种类型的光学部件中的任一个或组合。

此外，这里所使用的术语“辐射”和“光束”涵盖所有类型的电 磁辐射，包括可见辐射(例如，具有在400nm至780nm的范围内的 波长λ)、紫外(UV)辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、 157nm或者126nm的波长λ)和极紫外(EUV或软X射线)辐射(例 如，具有在5nm至20nm的范围内的、诸如例如13.5nm的波长)， 或者以小于5nm工作的硬X射线，以及诸如离子束或电子束等的粒 子束。一般情况下，具有在大约780nm至3000nm之间(或更大)的 波长的辐射被认为是IR辐射。UV是指具有近似100nm至400nm的 波长的辐射。在光刻内，术语“UV”还适用于可以由汞放电灯产生 的波长：G线436nm；H-线405nm；和/或，I线365nm。真空UV或 VUV(即，由空气吸收的UV)，是指具有近似100nm至200nm的 波长的辐射。深UV(DUV)一般是指具有从126nm到428nm范围 的波长的辐射，并且在实施例中，受激准分子激光器可以生成在光刻 设备内使用的DUV辐射。应该领会的是，具有在例如5nm至20nm 的范围内的波长的辐射涉及具有特定波长带的辐射，其中的至少一部 分是在5nm至20nm的范围内。

依赖于偏振的干涉仪

图2图示出用于确定对准和/或重叠的依赖于偏振的干涉仪的系 统图的示意图。在一个示例中，该数据可以利用任何类型的对准传感 器来获得，例如SMASH(智能对准传感器混合型)传感器，如美国 专利No.6,961,116中所描述的，该专利通过整体引用合并于此。’116 专利采用具有单个检测器和四个不同波长的自参考干涉仪，并且在软 件中提取对准信号。备选地，七个(或更多)衍射阶中的每一个可以 被引导至专用检测器，如美国专利No.6,297,876中所描述的，该专利 通过整体引用合并于此。一般情况下，单独对标记进行测量以获得X 和Y位置。然而，利用已公布的美国专利申请2009/195768中所描述 的技术可以进行组合的X和Y测量，该申请通过整体引用合并于此。

在图2中，光从衬底上的标记(诸如对准标记)衍射，作为衍射 光250。衍射光250可以包括多个衍射阶、例如较高/非零衍射阶(例 如，第+1和第-1衍射阶)，其中第0阶被阻挡。第0阶可以被阻挡 以避免使所检测到的信号中可用的调制的深度劣化。衍射光250在进 入自参考干涉仪204之前可选地首先穿过半波片202。自参考干涉仪 204可以例如输出作为具有180°的相对转动的输入的衍射光250的 两个图像并且它们重叠并因此可以进行干涉。

在一个示例中，衍射光250必须处于45度偏振以便创建检测出 具有相等强度的两个图像。半波片202和半波片206是为此目的可选 的—如果自参考干涉仪204和偏振分束器208被以从使用半波片202 和206时的其位置成45度角度地放置，那么半波片变得不必要。

如图3A和图3B中所示，自参考干涉仪204在输入204.1处接收 衍射光250。图3C描绘了在输入204.1处进入自参考干涉仪204的衍 射光250。在自参考干涉仪204内，衍射光250被分裂成两个通道AB 和BA。通道BA示出在图3A中并且通道AB在图3B中。穿过通道 AB和BA的输出光束252.1和252.2的电场可以在如等式1和2中所 描绘的琼斯矩阵方面进行特征描述：

其中逆时针转动矩阵被描绘在等式3中：

$\left(3\right)---\underset{‾}{\underset{‾}{\chi }}\left(\chi \right)=\left(\begin{array}{cc}\cos \left(\chi \right)& -\sin \left(\chi \right)\\ \sin \left(\chi \right)& \cos \left(\chi \right)\end{array}\right)$

经由通道AB和BA穿过了自参考干涉仪204的衍射光250如图 3D中所示在出口204.2处离开自参考干涉仪204。图2将图3的输出 光束252.1和252.2描绘为输出光束252。自参考干涉仪204使衍射光 250分裂成理想地处于彼此垂直偏振角度的空间上分开的输出光束 252.2和252.2。在图3C中，产生于对准标记的仅一个衍射阶被示出 以便使这些图简化。仅一个衍射阶对于干涉并因此对于对准信号(在 检测器处)的调制的发生是不充分的。典型地在图3C中，对于各正 的较高衍射阶，伴随的负的较高衍射阶以转动180度的定位存在。该 伴随的负的较高衍射阶将导致图3D中的附加的光束对，它们与产生 于伴随的正的较高衍射阶的光束至少部分重叠。至少部分重叠的光束 将导致干涉，并因此导致依赖于对准标记位置(并且还依赖于对准标 记形状)的对准信号的调制。

如果自参考干涉仪204不是以45度角度转动，则输出光252穿 过半波片206并到达偏振分束器208。偏振分束器208使输出光252 分裂成检测光束254和256，它们分别穿过光学元件212和210。在 示例中，这些光学元件可以是透镜。为了讨论简单起见，光学元件在 这里将被称作透镜，尽管如相关领域技术人员应该认识到的那样可以 使用其他类型的光学元件。透镜使光例如经由光学纤维朝向检测器 214和216聚焦。检测器214和216可以放置在不同衍射阶干涉所在 的光瞳平面中、图像平面中或者光瞳与图像平面之间的位置。检测到 的干涉的衍射阶提供了位置信息。

在一个示例中，该配置受到衍射光250具有特定偏振以便确保充 分高的信号-噪声(SNR)比的要求的限制。例如，在衬底上的子分段 标记可以起偏振器的作用，引起了衍射光250的偏振不同于在衬底上 的最初的入射光的偏振。偏振上的该改变引起依赖于目标/波长的对比 度损失。因此，除非衍射光250的衍射阶具有特定偏振，否则将会在 检测到的信号中有因而产生的对比度损失、诸如减小的调制的深度。

独立于偏振的干涉仪的示例性实施例

图4图示出根据第一实施例的独立于偏振的干涉仪系统400的示 意性图示。换言之，系统400不要求特定的偏振来精确地确定对准和 /或重叠。图4示意性地描绘了经由衍射标记的在光源与检测器之间的 光路径。虽然示出为透射式衍射光栅408，但相关领域技术人员应该 认识到的是系统400可以使用反射式衍射光栅。为了讨论简单，这将 在这里被称作标记408。

辐射的光束450被朝向标记408存在于其上的衬底的表面发射。 辐射的光束450可以被从诸如图1A或图1B中所描述的辐射源SO等 的光源经由光纤光缆递送。在一个实施例中，辐射的光束450穿过偏 振器402和四分之一波片404，它们在辐射的光束上赋予特定的偏振。 例如，在穿过偏振器402之后，辐射的光束450可以具有如场470中 所示的线性偏振。在一个示例中，在穿过四分之一波片404之后，辐 射的光束450可以如场480中所示被圆形地偏振。偏振器402和四分 之一波片404中的一个或两者的使用赋予了允许具有任意转动的对准 标记被类似地测量的均一偏振。在实施例中，偏振器402和四分之一 波片404是可选的。在所讨论的示例中，辐射的光束450具有无对比 度损失的任何状态的偏振。偏振可以被线性地偏振(以0度、45度或 90度)、圆形偏振、椭圆形偏振、非偏振或者部分偏振，只举出几个 非限制性示例。

在一个示例中，辐射的光束450穿过光学器件406。光学器件406 可以是但不限于单个透镜或投影系统PS。光学器件406操作以将辐 射的光束450聚焦到包括标记408的衬底的一个或多个部分上。辐射 的光束450可以是在轴的(例如，理想地平行于对准标记表面的法线) 或离轴的照射，如相关领域技术人员应该理解的那样。

在一个实施例中，辐射的光束450从标记408衍射作为衍射光452。 如在上面相对于图2所讨论的，衍射光452可以包括任何偏振或状态 的多个衍射阶、诸如较高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1衍射阶)。 这可以包括例如椭圆形偏振光、线性偏振光、圆形偏振光、部分偏振 光或者非偏振光。第0阶可以诸如通过仅允许构成较高/非零衍射阶 (例如，第+1和第-1衍射阶)的衍射光452的光阑412等被阻挡以 防止与任何检测到的信号的调制的深度干涉。衍射光452接着可以进 入光学器件410。

在实施例中，光学器件406和光学器件410是相同的透镜和/或系 统，而在其他实施例中光学器件406和410可以是整体系统或系统的 组合内的单独的元件。

在一个示例中，衍射光452进入例如建立在中性偏振分束器之上 的自参考干涉仪414。在实施例中，自参考干涉仪414可以是50/50 分束器。如图5A和图5B所示，自参考干涉仪414在输入414.1处接 收衍射光452。图5C也描绘了在输入414.1处进入自参考干涉仪414 的衍射光452的光束中的一个(注意，为了对应的图的简单和理解起 见，在这里省略了衍射光的其他光束)。衍射光452可以例如是180° 转动对称配置中的较高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1衍射阶)。 在自参考干涉仪414内，衍射光452可以被分裂成四个通道AB、BA、 AA和BB。自参考干涉仪414内的内部反射可以引起衍射光452在离 开图5D和图5E中示出的输出414.2和414.3中的一个之前以不同的 组合分裂。注意，自参考干涉仪414的组件由一个分束器(例如，中 性密度或偏振类型的)和两个转动棱镜构成。注意，在图2、图3、 图4、图5和图6中，二维简化被用于绘制这两个转动棱镜。

如图5A所示，在一个实施例中，具有较高/非零衍射阶(例如， 第+1和第-1衍射阶)中的一个或多个的衍射光452在经由输入414.1 进入时可以沿着通道BA穿过部分反射表面的第一部分、在自参考干 涉仪414的内部反射一次或多次并且沿着通道BA到达部分反射表面 的第二部分。衍射光452的反射离开部分反射表面的第二部分的部分 保持在通道BA中并且作为图5D中所示的在输出414.2处的输出射 线456.2离开。衍射光452的传输通过部分反射表面的第二部分的部 分继续到通道AA内并且作为图5E中所示的在输出414.3处的输出射 线454.1离开。

衍射光452的反射离开部分反射表面的第一部分的部分沿着通道 AB传播至自参考干涉仪414内的一个或多个其他反射表面。当衍射 光452的一部分到达部分反射表面的第二部分时，部分在通道AB上 传输通过并且作为在输出414.2处的输出射线456.1离开。衍射光452 的反射离开部分反射表面的第二部分的部分进入通道BB并且作为在 输出414.3处的输出射线454.2离开。同时，如图5D和图5E所示， 输出射线456.1和456.2两者通过输出414.2一起作为输出光束456 离开，并且输出射线454.1和454.2两者通过输出414.3一起作为输出 光束454离开。

在图5C中，产生于对准标记的仅一个衍射阶被示出以便使这些 图简化。仅一个衍射阶对于干涉并因此对于对准信号(在检测器处) 的调制的发生是不充分的。典型地在图5C中，对于各正的较高衍射 阶，伴随的负的较高衍射阶以180度转动的定位存在。该伴随的负的 较高衍射阶将导致图5D中的附加的光束对，它们或者与产生于伴随 的正的较高衍射阶的光束至少部分重叠。至少部分重叠的光束将导致 干涉，并因此导致依赖于对准标记位置(并且还有依赖于对准标记形 状)的对准信号的调制。

在实施例中，不同的通道AB、BA、AA和BB的光学路径长度 近似相等，所以在它们中的每一个之间没有路径长度差异，因为路径 长度差异可以降低对准信号的对比度。

部分反射表面可以由无损反射镜组成以便避免加热的可能性，该 加热除其他外可能引起不同通道之间的路径长度上的差异。

产生输出光束456的通道AB和BA与产生输出光束454的通道 AA和BB可以如等式4至7中所描绘的假设没有损失以及反射、涂 层等的理想相位行为的情况下在琼斯矩阵方面进行特征描述：

其中理想的不同角度值(取模两次pi)例如给出如下：

φ_AA＝[deg]

φ_BB＝[deg]

φ_AB＝180[deg]

φ_BA＝180[deg]

一旦光束已离开中性偏振分束器，输出光束454就可以由透镜418 聚焦。在实施例中，透镜418使输出光束454聚焦到光纤光缆上、例 如收集来自不同衍射阶的光的多模光纤上。光纤光缆可以将收集到的 光传输至检测器420。检测器420对包含在输出光束454内的对准信 号进行检测。需要领会的是，如相关领域技术人员应该认识到的，其 他类型的光学传输和/或检测也是可用的。备选地，输出光束454可以 被直接聚焦至检测器420。

在一个示例中，检测器420可以代表多个检测器，诸如专用于光 的各特定的波长或波长范围的单独的检测器。在这样的实施例中，存 在于输出光束454内的不同波长可以在到达单独的专用检测器之前才 刚分裂。以该方式，对诸如从近似500纳米到900纳米的范围等的不 同的波长范围进行检测。这可以例如通过一起作为检测器420操作的 16个波长分辨检测器来完成。在实施例中，检测器420可以包括诸如 CCD或CMOS阵列等的一个或多个光检测器或者在每个通道中的分 立的PIN检测器。一个或多个多模光纤可以用于将检测器420重新定 位至有利的安装位置。其他类型和数量的检测器和/或光纤也是可以的， 如相关领域技术人员应该认识到的。

以类似的方式，输出光束456通过透镜416被聚焦至光纤光缆或 者被直接聚焦至检测器422，其中检测器422可以以与检测器420相 似的方式配置。

输出光束454和456包含具有关于标记408的位置的信息的对准 信号。在实施例中，输出光束454和456的强度在输出光束454和456 重叠和干涉所在的光瞳平面、图像平面或者光瞳与图像平面之间的平 面中的多个不同位置进行检测和确定。以该方式，图4的对准传感器 与诸如图2中示出的等的现有系统相比生成了与来自标记408的光的 偏振无关的对准信号。此外，根据各种实施例的独立于偏振的干涉仪 的使用可以增加标记转动和子分段灵活性。在一个实施例中，该添加 的灵活性是因为衍射光中返回的偏振对于获得最终结果不再重要而 出现。使用更多变化的照射偏振也变得可能，使例如重复性、对比度、 衍射效率、对准标记不对称灵敏度等最优化。

图6图示出根据第二实施例的独立于偏振的干涉仪系统600的示 意性图示。在一个示例中，系统600未受到与图2的干涉仪中相同的 在偏振上的限制。系统600可以用于确定对准和/或重叠，以及以确定 对准标记不对称和/或工艺变化信息。

图6示意性地描绘了光在从标记衍射之后到一个或多个传感器所 采取的路径。在入射在标记上之后，辐射束B被衍射或散射作为衍射 光650。如上面所讨论的并且如相关领域技术人员所认识到的，辐射 束B可以具有无对比度损失的任何状态的偏振。如上面相对于图2所 讨论的，衍射光650可以包括任何偏振或状态的多个衍射阶，诸如较 高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1衍射阶)。这可以包括例如椭圆 形偏振光、线性偏振光、圆形偏振光、部分偏振光或非偏振光。第0 阶可以诸如通过仅允许构成+较高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1 衍射阶)的衍射光650的光阑(图6中未示出)等被阻挡以防止与任 何检测到的信号的调制的深度干涉。

在一个实施例中，衍射光650可以进入第一偏振分束器602。在 实施例中，第一偏振分束器602可以使衍射光分裂成第一和第二偏振 光束650.1和650.2。如相关领域技术人员应该认识到的，第一和第二 偏振光束650.1和650.2可以各包括多个光束，例如至少对应于衍射 光650的较高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1衍射阶)的光束。较 高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1衍射阶)可以例如处于180°转 动对称的配置。可选地，第一和第二偏振光束650.1和650.2中的一 个或两者接着可以穿过半波片604，该半波片与可选的半波片608协 作可以进一步使光束例如以45和135度偏振。如相关领域技术人员 应该认识到的，其他偏振也是可能的。

在一个示例中，第一和第二偏振光束650.1和650.2分别进入自 参考干涉仪606的第一和第二输入。如相关领域技术人员应该认识到 的，自参考干涉仪606可以具有或使用多于或少于两个的输入或输出。 此外，自参考干涉仪606可以备选地用两个自参考干涉仪替换，其中 各自参考干涉仪接收第一和第二偏振光束650.1和650.2中的一个， 如下面更详细地描述的图7中的自参考干涉仪706.1和706.2所示。 第一和第二偏振光束650.1和650.2从相应的第一和第二出射输出(未 示出)离开自参考干涉仪606作为出射光束652.1和654.1。如图6 所示，出射光束652.1和654.1各包括如通过自参考干涉仪606修改 的衍射光650的较高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1衍射阶)，使 得各正衍射阶与其对应的负衍射阶至少部分重叠。可选地，如上面所 讨论的，出射光束652.1和654.1可以穿过另一半波片608，尽管这并 不是根据本公开的实施例所要求的。

在离开自参考干涉仪606的输出时，出射光束652.1可以进入第 二偏振分束器610，该分束器使出射光束652.1的一部分分裂以形成 出射光束652.2。在一个实施例中，分裂出射光束652.2穿过与出射光 束652.1不同的光学路径，例如通过两个反射表面622和624被重新 引导。这些反射表面可以例如是反射镜。类似地，当离开自参考干涉 仪606的输出时，出射光束654.1可以进入第三偏振分束器612，该 分束器使出射光束654.1的一部分分裂以形成出射光束654.2。在一个 示例中，分裂出射光束654.2穿过与出射光束654.1不同的光学路径， 例如通过两个反射表面618和620被重新引导。如相关领域技术人员 应该认识到的，多于或少于两个的反射表面可以用于将分裂出射光束 652.2和654.2根据系统期望重新引导。另外或备选地，出射光束652.1 和654.1可以被沿着与从自参考干涉仪606出来的其最初的出射路径 不同的光学路径重新引导。

在一个示例中，分裂出射光束654.2和出射光束652.1在一个或 两个光束的沿着不同光学路径的重新引导之后两者都进入第四偏振 分束器614，该分束器可以将两个光束组合成第一组合出射光束656。

在实施例中，自参考干涉仪606的机械和光学涂层公差可以被保 持小，以使组合出射光束654.1和652.1的各个光束(例如，454.1和 454.2或者456.1和456.2)的光学路径长度差异的大小与所使用的波 长相比最小化。如果光学路径长度差异未保持小，则可能导致所产生 的对准信号的对比度损失。如应该认识到的，第一组合出射光束656 可以仍然包括从衬底上的标记衍射或散射的较高/非零衍射阶(例如， 第+1和第-1衍射阶)或者更多或更少的衍射阶。第一组合出射光束 656可以通过透镜626被聚焦到例如收集来自不同衍射阶的光并将收 集到的光传输至检测器630的光纤光缆。备选地，第一组合出射光束 656可以被直接聚焦至检测器630。检测器630可以用一个或多个专 用检测器来检测一个或多个波长，如上面相对于图4所讨论的。

在一个实施例中，分裂出射光束652.2和出射光束654.1在一个 或两个光束的重新引导之后两者都进入第五偏振分束器616，该分束 器可以将两个光束组合成第二组合出射光束658。第二组合出射光束 658可以包括从衬底上的标记衍射或散射的较高/非零衍射阶(例如， 第+1和第-1衍射阶)或者更多或更少的衍射阶。第二组合出射光束 658可以通过透镜628被聚焦到光纤光缆上并且别传输至检测器632。 第二组合出射光束658的不同类型的运送和检测是可能的，如相对于 图4所讨论的。在实施例中，检测器630和632可以是专用于各不同 组合出射光束的单独的检测器阵列。备选地，检测器630和632可以 是在集中位置处的组合阵列，其可以在组合阵列上的不同位置处接收 不同的组合出射光束。在任一备选方案中，检测器630和632都可以 是单独的并且可以单独地检测分别在第一和第二组合出射光束656和 658中的不同波长。

第一和第二组合出射光束656和658可以包含具有关于衬底上的 标记的位置的信息的对准信号。在实施例中，第一和第二组合出射光 束656和658的强度在第一和第二组合出射光束656和658中的图像 重叠和干涉所在的平面中的多个不同位置进行检测和确定。以该方式， 系统600的对准传感器可以捕获所有的衍射光，而不是如诸如图2中 示出的等的现有系统中的情形那样仅一个模式。

图7图示出根据第三实施例的独立于偏振的干涉仪系统700的示 意性图示。系统700可以未受到与图2的干涉仪相同的在偏振上的限 制。系统700可以用于确定对准和/或重叠，以及以确定对准标记不对 称和/或工艺变化信息。图7的数个特征与图6共同共享。为简单起见， 将仅讨论与在上面相对于图6所讨论的那些不同的那些元件。

在一个示例中，第一和第二偏振光束650.1和650.2进入第一自 参考干涉仪706.1和第二自参考干涉仪706.2的对应的输入。如相关 领域技术人员应该认识到的，自参考干涉仪706.1和706.2可以各具 有或使用与只一个相比更多的输入和/或输出。通过相对于用于第二偏 振光束650.2的第二自参考干涉仪706.2使用用于第一偏振光束650.1 的单独的自参考干涉仪706.1，可以避免串扰。虽然在包括并使用两 个输入存在的自参考干涉仪中的信号之间可能发生串扰，但它典型地 充分小并因此是个小问题。如果串扰是较大因素，则可能造成所产生 的对准信号的对比度损失。尽管有串扰的风险，但自参考干涉仪706.1 和706.2可以备选地用单个自参考干涉仪来替换，如上面相对于图6 所讨论的。

与图6中示出的系统600的对准传感器相比，图7的系统700的 对准传感器不包括第四和第五偏振分束器614和616。而是，分裂出 射光束652.2被朝向透镜708引导，该透镜可以使分裂出射光束652.2 朝向检测器718聚焦和传输。类似地，分裂出射光束654.2可以被朝 向透镜716引导，该透镜可以使分裂出射光束654.2朝向检测器724 聚焦和传输。出射光束652.1和654.1可以也单独地进行检测，而不 是与分裂出射光束652.2和654.2组合。例如，透镜710可以使出射 光束652.1朝向检测器720聚焦和传输并且透镜712可以使出射光束 654.1朝向检测器722聚焦和传输。如上面所讨论的，出射光束652.1、 654.1和分裂出射光束652.2和654.2可以在被输送至其相应的检测器 时穿过与图7中所描绘的路径不同的光学路径，如相关领域技术人员 所理解的那样。

作为图7中的该配置的结果，系统700的对准传感器可以使第二 和第三偏振分束器610和612的四个输出直接或间接地成像到四个相 应的检测器718、720、722和724上。如上面所讨论的，检测器718、 720、722和724可以各用一个或多个专用检测器/检测器阵列来检测 一个或多个波长，如上面相对于图4和图6所讨论的。

激光噪声归一化、减低或抑制也可以被应用于在检测器718、720、 722和724被检测的信号。归一化是如美国专利No.8,446,564中所描 述的用于激光噪声降低的已知技术，该专利通过整体引用合并于此。 在实施例中，诸如傅里叶变换等的频率变换可以应用于归一化和噪声 降低。激光噪声归一化可以在来自检测器对718和720及722和724 的输出上进行，例如：

$I_{align,one}=\frac{I_{718}-I_{720}}{I_{718}+I_{720}}$

$I_{align,two}=\frac{I_{722}-I_{724}}{I_{722}+I_{724}}$

在这些等式中，I_align，one表示针对测得的对准信号I₇₁₈和I₇₂₀的噪 声归一化对准信号，而I_align，two表示针对测得的对准信号I₇₂₂和I₇₂₄的 噪声归一化对准信号。

操作的示例性方法

图8是根据实施例的方法800的流程图。例如，方法800可以用 于检测具有任何偏振或状态的衍射或散射辐射。需要领会的是，不是 示出的所有操作都会是要求的或者以示出的顺序进行。方法800将为 了方便而相对于上面所描述的一个或多个系统进行描述，但不应该被 看作限于使用这些系统来操作。

方法开始于诸如辐射束B等的辐射的光束照射衬底W上的目标、 例如标记408时的步骤802。在实施例中，辐射束B可以具有任何角 度和/或状态的偏振。

在步骤804处，来自辐射束B的光可以被散射或衍射并且由诸如 上面讨论的独立于偏振的干涉仪系统中的任一个等的对准传感器系 统接收。如相关领域技术人员应该认识到的，多个衍射阶、例如较高 /非零衍射阶(例如，第+1和第-1压缩机)可以由系统接收，其中第 0阶被阻挡。

在步骤806处，可以使衍射光分裂成多个光束。在一个实施例中， 衍射光可以通过诸如图4中描绘的自参考干涉仪414中所使用的中性 偏振分束器等的中性偏振分束器分裂。在备选实施例中，衍射光可以 通过偏振分束器分裂并且朝向诸如图6中的自参考干涉仪606或图7 中的自参考干涉仪706.1和706.2等的一个或多个自参考干涉仪引导。 在牵涉到一个或多个自参考干涉仪的实施例中，多个光束可以自己被 进一步分裂开和/或重新组合，例如如上面图6和图7中所示。此外， 多个光束之中的各光束可以通过波长另外地分裂开，用于实施例中的 任一个中的检测。

在步骤808处，一个或多个检测器可以对产生于在步骤806处完 成的分裂的多个光束进行检测。检测器420可以代表多个检测器，诸 如专用于一个特定的波长、波长的范围或者不同的光谱加权光强度的 单独的检测器。也可以在代表检测到的多个光束的信号上进行信号处 理。该信号处理可以进行以抑制诸如照射强度噪声等的测量噪声。信 号处理可以作为步骤808的一部分或者作为附加步骤进行，如相关领 域技术人员应该认识到的。

在步骤810处，独立于偏振的干涉仪系统可以利用在步骤808处 由一个或多个检测器检测到的对准信号内的信息来确定衬底的特征 的重叠和/或对准。独立于偏振的干涉仪系统可以另外地或备选地确定 关于对准标记不对称和/或工艺的信息。在实施例中，光束的强度可以 在图像重叠或干涉所在的光瞳平面、图像平面中或者光瞳平面与图像 平面之间的平面中的多个不同位置进行检测。以该方式，独立于偏振 的干涉仪系统可以捕获所有衍射光，而不是只一个模式。在步骤810 处产生的信息可以对于定位和校正可引起形成图案在衬底上的不同 特征的未对准的任何硬件和/或软件是有用的。方法800随后结束。

图9是根据本发明的备选实施例的方法900的流程图。在一个示 例中，方法900可以用于检测具有任何偏振或状态的衍射或散射辐射。 需要领会的是，不是示出的所有操作都会是要求的或者以示出的顺序 进行。方法900将为了方便而相对于上面所描述的一个或多个系统进 行描述，但不应该被看作限于使用这些系统来操作。

在实施例中，方法900可以是图6的独立于偏振的干涉仪系统600 的操作的示例性方法。如与方法800一样，首先在步骤902处用辐射 束B照射衬底上的标记。

在步骤904处，独立于偏振的干涉仪系统可以接收从衬底上的标 记衍射或散射的光。

在步骤906处，衍射光可以例如通过图6中的第一偏振分束器602 分裂成多个光束，并且朝向诸如图6中的自参考干涉仪606或图7中 的自参考干涉仪706.1和706.2等的一个或多个自参考干涉仪引导。 第一衍射光束和第二衍射光束可以产生于在步骤906处的分裂。在包 括两个输入和两个输出的单个自参考干涉仪中的单独的通道，或者如 与存在有的分裂衍射光束(例如两个分裂衍射光束)一样多的自参考 干涉仪中的一个通道，可以处理各光束。

在步骤908处，在穿过了自参考干涉仪之后，第一衍射光束可以 通过第二偏振分束器再次分裂成第一和第二分裂光束，这里为了讨论 的目的描述为子光束，诸如图6中的光束652.1和652.2。在步骤910 处，第二衍射光束可以通过第三偏振分束器分裂成诸如图6中的光束 654.1和654.2等的第三和第四子光束。步骤908和910可以在相同的 或不同的时间发生，如相关领域技术人员应该认识到的。

在步骤912处，第一和第四子光束可以通过第四偏振分束器组合 以形成仍然可包含从衬底上的标记最初衍射的光的至少较高/非零衍 射阶(例如，第+1和第-1衍射阶)的第一复合或组合光束。在步骤 914处，第二和第三子光束可以通过第五偏振分束器组合以形成也可 以仍然包含衍射光的至少较高/非零衍射阶(例如，第+1和第-1衍射 阶)的第二复合或组合光束。步骤912和步骤914可以在相同的或不 同的时间发生，如相关领域技术人员应该认识到的。

在步骤916处，第一复合光束和第二复合光束可以通过一个或多 个检测器在图像重叠和干涉所在的多个不同位置进行检测，如上面所 讨论的。各复合光束可以包含关于使入射辐射束B衍射或散射的标记 的对准信息。以该方式，干涉仪(多个)的输出可以在通过检测器子 系统的一个或多个检测器进行检测之前在强度空间中组合。也可以在 代表检测到的复合光束的信号上进行信号处理。该信号处理可以进行 以抑制诸如照射强度噪声等的测量噪声。信号处理可以作为步骤916 的一部分或者作为附加步骤进行，如相关领域技术人员应该认识到的。

在步骤918处，检测到的光束的强度可以用于确定引起衍射的标 记的重叠和/或对准。独立于偏振的干涉仪系统可以由此捕获所有的衍 射光，而不是只一个模式。方法900随后结束。

图10是根据本发明的另一备选实施例的方法1000的流程图。在 一个示例中，方法100可以用于检测具有任何偏振或状态的衍射或散 射辐射。需要领会的是，不是示出的所有操作都会是要求的或者以示 出的顺序进行。方法1000将为了方便而相对于上面所描述的一个或 多个系统进行描述，但不应该被看作限于使用这些系统来操作。

在实施例中，方法1000可以是图7的独立于偏振的干涉仪系统 700的操作的示例性方法。如与方法800和/或900一样，首先在步骤 1002处用辐射束B照射衬底上的标记。

在步骤1004处，独立于偏振的干涉仪系统可以接收从衬底上的 标记衍射或散射的光。

在步骤1006处，衍射光可以例如通过图6中的第一偏振分束器 602分裂成多个光束，并且朝向诸如图6中的自参考干涉仪606或图 7中的自参考干涉仪706.1和706.2等的一个或多个自参考干涉仪引导。 第一衍射光束和第二衍射光束产生于步骤1006处的分裂。在包括两 个输入和两个输出的单个自参考干涉仪中的单独的通道，或者如与存 在有的分裂衍射光束(例如两个分裂衍射光束)一样多的自参考干涉 仪中的一个通道，可以处理各光束。

在步骤1008处，在穿过了自参考干涉仪之后，第一衍射光束可 以通过第二偏振分束器再次分裂成第一和第二分裂光束，在这里为了 讨论的目的描述为子光束，诸如图6中的光束652.1和652.2。

在步骤1010处，第二衍射光束可以通过第三偏振分束器分裂成 第三和第四子光束，诸如图6中的光束654.1和654.2。

步骤1008和1010可以在相同的或不同的时间发生，如相关领域 技术人员应该认识到的。

取代如方法900中的使子光束可选地组合，方法1000可以单独 地检测不同的子光束并且将在图像的处理期间或者之后从各子光束 获得的信息组合。也可以在代表检测到的子光束的信号上进行信号处 理。该信号处理可以进行以抑制诸如照射强度噪声等的测量噪声。信 号处理可以作为步骤1012或1020的一部分或者作为附加步骤进行， 如相关领域技术人员应该认识到的。在第一实施例中，方法1000可 以在步骤1012处使用一个或多个检测器和/或检测器系统在从标记衍 射的图像重叠并干涉所在的多个不同位置对多个子光束进行检测，如 上面所讨论的。

在检测之后，在步骤1014处，来自第一和第四子光束的信息可 以在处理期间组合而不是之前或之后。

类似地，在步骤1016处，来自第二和第三子光束的信息可以在 处理期间组合。

步骤1014和1016可以在相同的或不同的时间发生，如相关领域 技术人员应该认识到的。以该方式，干涉仪的输出可以例如在检测之 后在强度空间中或者在位置空间中组合。

备选地，方法1000可以替代地在步骤1020处使用一个或多个检 测器和/或检测器系统在从标记衍射的图像重叠和干涉所在的多个不 同位置对多个子光束进行检测，如上面所讨论的，并且继续对包含在 检测到的光束内的信息进行处理。

在该备选实施例中完成处理之后，在步骤1022处方法1000可以 接着将从检测到的第一和第四子光束获得的信息组合。

类似地，方法1000可以在步骤1024处接着将从检测到的第二和 第三子光束获得的信息组合。

步骤1022和1024可以在相同的或不同的时间发生，如相关领域 技术人员应该认识到的。以该方式，干涉仪的输出可以在检测和处理 之后在位置空间中组合。

在任一实施例中的处理之后，方法1000前进至步骤1018，其中 检测到且经过处理的子光束的强度可以用于确定引起衍射的标记的 重叠和/或对准。以该方式，独立于偏振的干涉仪系统可以捕获所有的 衍射光，而不是只一个模式。方法1000接着可以结束。

以上描述意在说明性的但不是限制性的。因此，对于本领域技术 人员显而易见的是，可以在不脱离下面所陈述的权利要求的范围的情 况下对所描述的本发明做出修改。

需要领会的是，详细描述部分而不是发明内容和摘要部分意在用 于解释权利要求。发明内容和摘要部分可能陈述发明人所设想到的本 发明的一个或多个但不是所有的示例性实施例，并因此不意在以任何 方式限制本发明和随附权利要求。

上面已在图示出特定功能及其关系的实施的功能性构造块的帮 助下描述了本发明。这些功能性构造块的界限在这里为了描述方便而 任意地进行了限定。可以限定出备选界限，只要特定功能及其关系近 似地进行。

具体实施例的前述描述如此充分地披露了本发明的一般性质以 至于其他人可以通过应用本领域技术内的知识在不脱离本发明的一 般概念的情况下容易地为各种应用修改和/或调整这样的具体实施例 而无需过度实验。因此，这样的调整或修改意在落入基于这里所呈现 的教导和引导的所公开的实施例的等同方式的含义和范围内。需要理 解的是，这里的措辞或术语是为了描述的目的并且不是限制性的，使 得本说明书的术语或措辞应该由技术人员根据教导和引导来解释。

本发明的广度和范围不应该受上面描述的示例性实施例中的任 何所限，而是应该仅依照下面的权利要求及其等同方式来限定。