首页> 中国专利> 一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法

一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法

摘要

本发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅,涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于,利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长,利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光,经历显影、坚膜,最后利用体积配比为HCl:C

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-30

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/12 申请公布日:20160316 申请日:20140915

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-03-16

    公开

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