专利名称:一种二硫化钼长周期光纤光栅及其制备方法

摘要

专利申请号:CN201610304184公开号:CN105739011B申请日:2016.05.09公开日:2019.01.08申请人:天津理工大学本发明涉及二硫化钼(MoS_(2))长周期光纤光栅及其制备方法,先将光纤进行拉锥,并将拉锥之后的微光纤固定在预先制作好的具有长周期光纤光栅栅格的纳米印刷板的背面.