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808nm分布反馈半导体激光器的光栅制备与研究

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摘要

第一章 绪论

1.1 论文的研究背景和意义

1.2 国内外研究现状

1.3 本论文的主要工作

第二章 Bragg光栅及DFB-LD的相关理论

2.1 Bragg光栅的基本原理

2.2 DFB-LD的基本理论

2.3 DFB-LD的工作原理

2.4 DFB-LD的类型

2.5 本章小结

第三章 Bragg光栅的制备技术

3.1 Bragg光栅的光刻技术

3.2 Bragg光栅的刻蚀技术

3.3 本章小结

第四章 808 nm DFB-LD内置Bragg光栅的设计、制备与表征

4.1 808 nm DFB-LD内置Bragg光栅的实验设计

4.2 808 nm DFB-LD内置Bragg光栅的制备工艺

4.3 808 nm DFB-LD中二阶Bragg光栅的制备

4.4 808 nm DFB-LD器件的制备

4.5 808 nm内置二阶Bragg光栅的DFB-LD的测试与分析

4.6 本章小结

第五章 总结与展望

致谢

参考文献

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摘要

内置布拉格(Bragg)光栅的高功率808nm分布反馈(Distributed Feedback,DFB)半导体激光器(DFB-LD)作为Nd∶YAG固体激光器理想的泵浦源,具有稳定的发射波长、窄的光谱线宽、宽的工作温度范围。可以提高泵浦效率达到50%以上。内置Bragg光栅作为DFB-LD的重要组成部分,它性能的好坏直接决定激光器的优劣。
  本论文通过对808nmDFB-LD进行理论分析,进而对其内置Bragg光栅的级数、周期、占空比、深度进行了优化设计,并利用全息光刻及湿法刻蚀制作出808nmDFB-LD内置Bragg光栅。
  制备的808nmDFB-LD中内置Bragg光栅阶数为2、光栅周期为242nm、占空比为0.23、深度为76nm,均匀且接近于矩形的光栅条纹。并对制备出的Bragg光栅进行了表征,证实了808nmDFB-LD中的内置Bragg光栅具有波长锁定、稳定单纵模激射、窄化光谱线宽等功效。

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