用于垂直场效应器件的温度补偿的器件架构和方法

摘要

公开了一种提供接通电阻根据结温度变化减小的场效应器件。具有源结、栅结和漏结的场效应器件包括邻近于漏结的电阻薄膜，其中，该电阻薄膜包括具有电阻负温度系数的材料。该材料选自由掺杂的多晶硅、非晶硅、硅铬和硅镍所组成的组的一个或多个材料，其中，诸如厚度和掺杂水平之类的材料性质被选择，以产生用于场效应器件的期望电阻和温度分布。与用于没有电阻薄膜的类似场效应器件的温度变化相比，减小了用于所公开的场效应器件的接通电阻的温度变化。