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具备亚阈值势垒的HEMT外延结构

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本发明提供了一种具备亚阈值势垒的HEMT外延结构。其包括由下至上依次形成的Si衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层和外延层，GaN缓冲层用于吸收Si衬底与外延层之间因晶格失配产生的应力，外延层包括由下至上依次形成的AlN/GaN超晶格隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN势垒层和GaN帽层，GaN掺杂层中的掺杂物为Mg。本发明能够实现毫米波段的应用。

著录项

公开/公告号CN105374870A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-02

原文格式PDF
申请/专利权人成都嘉石科技有限公司;
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申请/专利号CN201510813225.3
发明设计人黎明;
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申请日2015-11-20
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/205(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构成都华风专利事务所(普通合伙);
代理人胡川
地址 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
入库时间 2023-12-18 14:35:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-04

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/778 申请公布日:20160302 申请日:20151120

发明专利申请公布后的驳回
2016-05-04

著录事项变更 IPC(主分类):H01L29/778 变更前: 变更后: 申请日:20151120

著录事项变更
2016-03-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20151120

实质审查的生效
2016-03-02

公开

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