首页> 外文OA文献 >Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
【2h】

Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures

机译:湿法刻蚀InAlGaN势垒HEMT结构的结构和形态研究

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

The quaternary nitride-based high electron mobility transistor (HEMT) has been recently a focus of interest because of the possibility to grow lattice-matched barrier to GaN and tune the barrier bandgap at the same time.
机译:最近,基于四元氮化物的高电子迁移率晶体管(HEMT)成为人们关注的焦点,因为它有可能生长出与GaN晶格匹配的势垒并同时调整势垒带隙。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号