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用于CPM后清除配方的新抗氧化剂

摘要

本发明涉及一种用于从其上带有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子装置中清除所述残留物和污染物的清除组合物和方法。该清除组合物含有新型缓蚀剂。该组合物实现了CMP后残留物和污染物材料从微电子装置表面上的高度有效的清除,而不损害低k介电材料或铜互连材料。

著录项

  • 公开/公告号CN105349284A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安格斯公司;

    申请/专利号CN201510651623.X

  • 申请日2008-05-16

  • 分类号C11D3/30(20060101);C11D7/26(20060101);C11D7/32(20060101);C23F11/10(20060101);C23G1/18(20060101);C23G1/26(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人杨青;穆德骏

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2023-12-18 14:26:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    著录事项变更 IPC(主分类):C11D3/30 变更前: 变更后: 申请日:20080516

    著录事项变更

  • 2016-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C11D3/30 申请日:20080516

    实质审查的生效

  • 2016-02-24

    公开

    公开

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