利用辅助结构制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法

摘要

本发明提供了一种利用辅助结构制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-SiGe/SiN/Poly-Si多层结构；将Poly-Si刻蚀成窗口，再淀积SiN；刻蚀掉表面的SiN层，保留窗口侧面的SiN；利用不同的刻蚀比刻蚀SiN表面的Poly-Si，刻蚀衬底表面上除SiN侧壁区域以外的SiN露出底层Poly-SiGe；再利用不同的刻蚀比刻蚀掉SiN侧壁保护区域以外的Poly-SiGe，形成栅极s；离子注入自对准形成PMOSFET的源、漏区，形成PMOSFET器件；光刻器件的互连线形成PMOS集成电路。本发明能够在微米级硅集成电路加工工艺平台上，不改变现有SPIN二极管制造设备和增加成本的条件下制备出45～90nm的PMOS控制电路。