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一种等离子体增强原子层沉积铜薄膜的方法

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摘要

本发明公开了一种铜互连中的铜籽晶层沉积方法，主要介绍了使用氢等离子体辅助原子层沉积铜薄膜，包含使用不同类型的等离子体辅助原子层沉积设备以及不同种类的铜前驱体、沉积工艺、沉积基底等。在实例中具体描述了使用高反应活性的[Cu(iPr-Me-amd)]

1. 一种等离子体增强原子层沉积铜薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN105296955A . 2016-02-03
2. 一种基于等离子体增强原子层沉积的薄膜掺杂改性方法 [P] . 中国专利： CN107815666B . 2019.11.22
3. Method of plasma enhanced atomic layer deposition of TaC and TaCN films having good adhesion to copper [P] . 美国专利： US7407876B2 . 2008-08-05

机译：对铜具有良好附着力的TaC和TaCN薄膜的等离子体增强原子层沉积方法
4. METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2007111780A3 . 2008-01-17

机译：对铜具有良好粘附力的TaC和TaCN薄膜的等离子体增强原子层沉积方法
5. METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2007111780A2 . 2007-10-04

机译：对铜具有良好粘附力的TaC和TaCN薄膜的等离子体增强原子层沉积方法