法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-13
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/343 申请公布日:20160127 申请日:20140721
发明专利申请公布后的视为撤回
2016-01-27
公开
公开
机译: GaSb包覆的中红外半导体激光器
机译: GaSb包覆的中红外半导体激光器
机译: 一种通过烟道sig外延外延技术生产激光器和Ingaas-激光器和-led的双异质结构的方法,适用于范围为(λ)= 1,2(μm)m至1,7( μm)米