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一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构

摘要

一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层,其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层,所述电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。同现有技术相比,本发明能够减少量子阱内的Auger复合,抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出,有效地提高GaSb基中红外半导体激光器的性能。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-13

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/343 申请公布日:20160127 申请日:20140721

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-01-27

    公开

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