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Al-Ge共晶键合预处理方法及键合方法

摘要

本发明提供一种Al-Ge共晶键合预处理方法及键合方法,所述预处理方法包括如下步骤:提供一表面具有锗顶层的第一衬底及一表面具有铝顶层的第二衬底;充入化学性质不活泼的气体,排除空气,防止所述锗顶层及铝顶层被氧化。本发明的优点在于,没有采用还原性气体去除铝及锗表面的氧化层,而是采用化学性质不活泼的气体排除空气,防止铝及锗氧化。在预键合及键合过程中只存在非活泼性气体(如N

著录项

  • 公开/公告号CN105197872A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海矽睿科技有限公司;

    申请/专利号CN201410231382.9

  • 发明设计人 顾佳烨;王宇翔;

    申请日2014-05-29

  • 分类号

  • 代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人孙佳胤

  • 地址 201815 上海市嘉定区兴贤路1368号3幢3157室

  • 入库时间 2023-12-18 13:14:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20151230 申请日:20140529

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20140529

    实质审查的生效

  • 2015-12-30

    公开

    公开

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