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氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法

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本发明涉及半导体发光技术领域，具体涉及氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法；包括依次层叠设置的蓝宝石衬底层、氮化嫁缓冲层、非掺杂氮化嫁层、N型氮化嫁层、多个周期对的AlGaN/InGaN多量子阱层、P型铝镓氮层、P型氮化镓层及渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层，所述渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层为组分均匀渐变的(Al

著录项

公开/公告号CN105161583A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-12-16

原文格式PDF
申请/专利权人广西盛和电子科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201510352936.5
发明设计人于浩;赵玉娟;甘君锋;尹宝堂;汤献忠;
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申请日2015-06-24
分类号H01L33/02;H01L33/00;
代理机构
代理人
地址 535000 广西壮族自治区钦州市高新技术产业开发区曙光园C1-2标准厂房
入库时间 2023-12-18 13:04:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-27

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/02 申请公布日:20151216 申请日:20150624

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-01-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/02 申请日:20150624

实质审查的生效
2015-12-16

公开

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