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紫外发光二极管; 氮化镓; NTT基础研究实验室; 美国海军电子研究所; 单量子阱;
机译:使用无位错氮化铟镓/氮化镓多量子阱纳米棒阵列的高亮度发光二极管
机译:基于氮化镓的紫外线紫外线,蓝色和绿色发光二极管,具有浅周期孔图案的官能化
机译:高亮度氮化镓纳米线紫外-蓝色发光二极管
机译:氮化镓蓝宝石上的氮化镓金属有机气相外延生长模式可提高基于InGaN的发光二极管的效率
机译:氮化镓和氮化铝镓薄膜及其异质结构的生长和表征以及紫外发光二极管的相关开发和评估。
机译:基于氮化铟镓的紫外蓝色和绿色发光二极管具有浅周期性孔图案
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:薄的p型氮化镓和氮化铝镓电子阻挡层无氮化镓基发光二极管
机译:薄型P型氮化镓和铝氮化镓电子阻挡层无氮化镓基发光二极管
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