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p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用,所述光催化材料以ITO为衬底,在ITO衬底上生长ZnO纳米阵列,然后在ZnO纳米阵列上生长NiO网格结构,构成ZnO/NiO的双层复合结构。本发明利用水热法在透明导电薄膜衬底(ITO)上制备NiO/ZnO异质pn结,光生电子和空穴在pn结的自建电场作用有效分离,提高光催化性能,开展了光催化性能的研究,表明NiO/ZnO异质pn结在光催化降解有机物方面具有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN105148924A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201510519795.1

  • 发明设计人 矫淑杰;周廷龙;李海力;朱春光;

    申请日2015-08-22

  • 分类号B01J23/80(20060101);A62D3/17(20070101);

  • 代理机构23206 哈尔滨龙科专利代理有限公司;

  • 代理人高媛

  • 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-12-18 12:54:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-06

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B01J23/80 申请公布日:20151216 申请日:20150822

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-01-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01J23/80 申请日:20150822

    实质审查的生效

  • 2015-12-16

    公开

    公开

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