ALUMINUM; BIPOLAR TRANSISTORS; CIRCUITS; CONTACT RESISTANCE; ELECTRICAL FAULTS; ELECTRON BEAMS; ELECTRONS; EMITTERS; EPITAXY; FABRICATION; FREQUENCIES; HETEROJUNCTION DEVICES; HETEROJUNCTIONS; HIGH FREQUENCIES; HIGH SPEED; HIGH VOLTAGES; INDIUM; INDIUM ALUMINUM ARSENIDES; INDIUM GALLIUM ARSENIDES; INDIUM PHOSPHIDES; MESAS; METALS; MULTIPLIERS; OSCILLATORS; POWER AMPLIFIERS; POWER GAIN; RADIO FREQUENCIES; SUBMILLIMETER WAVES; TECHNOLOGY UTILIZATION; TRANSISTORS; VELOCITY DISTRIBUTION; WAFERS; heterojunction bipolar transistors (HBT); THz; submillimeter; transistor;
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