基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法，该制备方法包括:选取GOI衬底；生长N型应变SiGe层，离子注入工艺进行N型掺杂；在N型应变SiGe层表面生长N型Si帽层，形成增强型NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区；在其之间形成隔离沟槽；采用刻蚀工艺在NMOS栅极区表面形成双倒梯形凹槽；在NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区表面生长氧化层，利用干法刻蚀工艺形成PMOS栅介质层；离子注入工艺形成PMOS源漏区；生长栅极材料形成PMOS栅极；生长栅极材料以形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件。