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一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种镓硼锗共掺单晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-09

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/06 申请公布日:20151118 申请日:20150812

发明专利申请公布后的驳回
2015-12-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/06 申请日:20150812

实质审查的生效
2015-11-18

公开

公开

1. 一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105063750A . 2015-11-18
2. 一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法 [P] . 中国专利： CN102978698B . 2015.10.28
3. GERMANIUM-DOPED GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME [P] . 日本专利： JP2008024544A . 2008-02-07

机译：掺锗氮化镓晶体及其制备方法
4. GREEN LUMINESCENT MATERIAL OF TERBIUM DOPED GADOLINIUM BORATE AND PREPARing METHOD THEREOF [P] . 美国专利： US2012286206A1 . 2012-11-15

机译：掺硼硼酸镓的绿色发光材料及其制备方法
5. Process for manufacturing boron-doped gallium arsenide single crystal [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0092409B1 . 1986-07-30

机译：掺硼砷化镓单晶的制备方法