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机译:硼和锗共掺杂对掺镓直拉硅中少数载流子寿命的影响
Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
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机译:锗掺杂的直拉生长硅的高少数族裔寿命
机译:Ge共掺杂对Ga掺杂的直拉硅中生长的0沉淀的影响
机译:Ga掺杂的连续直拉硅的深层瞬态光谱学和少数载流子寿命研究
机译:Ga掺杂硅中少数载流子寿命的掺杂依赖性
机译:硅上异质外延的锗中少数载流子寿命与缺陷密度分布的经验相关性。
机译:用于非接触氧化过程表征和炉分析的少数载流子寿命测量
机译:Ge共掺杂对Ga掺杂的直拉硅中O析出物的影响
机译:辐射复合和光子回收对外延GaINassb晶格与Gasb匹配的少数载流子寿命的影响