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CIGS基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置

摘要

本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置。本发明是在一个真空腔体中采用双靶溅射沉积CIGS基薄膜太阳能电池的光吸收层,在溅射过程中,1号靶的等离子体烧蚀区域朝向基板方向,2号靶的等离子体烧蚀区域朝向1号靶的表面,这样2号靶的材料就先沉积到1号靶上,然后再和1号靶的材料一起沉积到基板上,此种光吸收层的制备方法使沉积的膜层的组分更加均匀。

著录项

  • 公开/公告号CN105006501A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门神科太阳能有限公司;

    申请/专利号CN201510498243.7

  • 发明设计人 李艺明;邓国云;

    申请日2015-08-14

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 361009 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室

  • 入库时间 2023-12-18 11:38:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20151028 申请日:20150814

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-11-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20150814

    实质审查的生效

  • 2015-10-28

    公开

    公开

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