黑硅层制作方法及黑硅PIN光电探测器制备方法

摘要

一种黑硅层制作方法，1）将硅衬底平放于下电极的上侧面上，硅衬底的上侧面记为加工面，2）所述上电极上设置有多个通气孔，常温条件下，向刻蚀腔内通入六氟化硫和氧气，并使六氟化硫和氧气通过通气孔吹拂到加工面上，六氟化硫流量为50sccm～150sccm，氧气流量为20sccm～100sccm，3）将刻蚀腔内的刻蚀压力调节为20mTorr～100mTorr后，在上电极和下电极之间施加射频功率为300W～800W的电压，电压持续时间为230~250秒；处理完成后，硅衬底上的加工面即形成黑硅层。本发明的有益技术效果是：提出了一种制作黑硅层的全新工艺，该工艺操作简单、能耗低、加工效率高，十分适合产业化推广。