法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-08
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0216 申请公布日:20150909 申请日:20140303
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-10-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 申请日:20140303
实质审查的生效
2015-09-09
公开
公开
机译: 例如的结构化硅层硅太阳能电池,其边界表面具有弯曲的局部表面,呈现出纳米结构,该纳米结构延伸到层中,深度达四百纳米至五微米
机译: 纳米结构的制造方法,例如全息图的光栅电子显微镜接收器,涉及在衬底表面上施加载体层,并使用载体层作为蚀刻掩模,通过蚀刻工艺在表面上产生纳米结构
机译: 利用表面修饰的球体制造大面积纳米结构的方法和利用大面积纳米结构的反指纹膜