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抵消硅穿孔所引发基板应力的结构及方法

摘要

本发明提抵消硅穿孔所引发基板应力的结构及方法,其结构及制造方法用以减低或抵消在邻近基板穿孔的该结构的基板内的应力。该制造方法包括:形成具有基板穿孔(TSV)的结构,邻近该基板穿孔具有减少的装置排除区域(KOZ),该形成包括:在该结构的基板内设置该基板穿孔,以及在该基板上设置被选择并配置成提供所需的补偿应力的应力补偿(offset)层,以减低由于在该基板内存在有基板穿孔所引起的在该基板中的应力。于一实施例中,该应力补偿层提供所需的压缩应力,足以减少或抵消由于在该基板内存在有基板穿孔所引起的在该基板中的拉伸应力。

著录项

  • 公开/公告号CN104835781A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201510069287.8

  • 申请日2015-02-10

  • 分类号

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2023-12-18 10:16:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20150812 申请日:20150210

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-09-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20150210

    实质审查的生效

  • 2015-08-12

    公开

    公开

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