公开/公告号CN104835781A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-12
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201510069287.8
申请日2015-02-10
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-12-18 10:16:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-03
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20150812 申请日:20150210
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-09-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20150210
实质审查的生效
2015-08-12
公开
公开
机译: 太阳能电池包括在具有第一主表面和第二主表面的由单晶硅制成的基板上形成的具有穿孔结构的二极管元件。
机译: 低温多晶硅制造方法,利用低温多晶硅制造方法制造TFT基板的方法以及TFT基板结构
机译: 遵循利用连续微啤酒激光穿孔形成多层基板芯结构的方法和特定方法,形成的基板芯结构