制作PN结隔离结构的方法及PN结隔离结构

摘要

本发明揭示了一种制作PN结隔离结构的方法，该方法包括以下步骤：在P型衬底上形成凸起部；在凸起部的表面上注入P型离子，形成第一P型掺杂区；在P型衬底上生长N型外延层；在N型外延层表面注入P型离子，形成在厚度方向上与第一P型掺杂区位置对应的第二P型掺杂区；使用高温退火进行驱入，使得N型外延层表面的第二P型掺杂区与凸起部表面的第一P型掺杂区对接，从而形成PN结隔离结构。本发明减小了结隔离结构的横向扩散，提高了半导体器件的集成度，也大大减少了驱入工艺所用的时间。本发明还揭示了一种PN结隔离结构。