一种低掺杂多孔P型硅纳米线的制备方法

摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，尤其是一种低掺杂多孔P型硅纳米线的制备方法，包括如下步骤：将低掺杂P型硅材料浸入浓硫酸和过氧化氢的混合液中，浸泡后取出，再放入氢氟酸溶液中浸泡后获得第一制材；将所述第一制材移入浓度为5～15mmol/L的金属硝酸盐溶液中，浸泡30～120秒获得第二制材；其中，所述金属硝酸盐溶液的溶剂为2～10wt%氢氟酸水溶液；用水清洗所述第二制材；将经过清洗后的第二制材放入浓度为0.1～0.6mol/L的过氧化氢溶液中，常温下腐蚀2～60分钟后取出，获得第三制材；其中，所述过氧化氢溶液的溶剂为2～10wt%氢氟酸水溶液；将所述第三制材放入硝酸溶液中浸泡1～5小时，即获得所述低掺杂多孔P型硅纳米线。