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马渊明; 谢超; 江鹏; 于永强; 王莉; 揭建胜;
合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
硅纳米线; 热蒸发; p型掺杂; 电学特性;
机译:可控合成Au /β-FeOOH@ SiO2混合可控合成Au / FeOx空心纳米结构对CO氧化的大量预处理作用
机译:微波合成法制备形状和掺杂水平可控的P型氮掺杂ZnO纳米结构
机译:通过四氯化硅气液固生长合成的硅纳米线的均匀p型掺杂
机译:金属催化CVD法合成p型掺杂硅纳米线的表面耗尽厚度的测定
机译:通过气液固生长过程合成的p型和n型硅纳米线的接触研究
机译:掺杂的导电SiO2纳米颗粒可吸收大量微波
机译:在N型和p型原位掺杂的多晶硅纳米线中的可变范围跳跃传导
机译:用固态单晶生长(ssCG)技术开发n型和p型掺杂钙钛矿单晶。
机译:引脚调制器,具有相互掺杂的p型和n型掺杂指,容量可控,并且完全耗尽
机译:评估硼掺杂的p型硅晶片中的金属污染的方法,评估硼掺杂的p型硅晶片中的金属污染的装置以及制造硼掺杂的p型硅晶片的方法
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