一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法

摘要

本发明公开了一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法，包括：以含氮等离子体对单壁碳纳米管粉体或分布在选定基体上的单壁碳纳米管进行暴露辐照，使氮原子注入单壁碳纳米管中，形成氮掺杂单壁碳纳米管，其中，含氮等离子体激发功率在6.0W以上，而小于10W。藉由本发明方法所制备的氮掺杂单壁碳纳米管中吡啶氮含量可以超过0.5at%，并且在获得较高氮掺杂浓度的同时，还不会在碳纳米管结构中引入缺陷，保持了原有碳纳米管的结构与质量，可应用于基于单壁碳纳米管的微电子器件或相应的集成电路模块等元件中，亦可作为催化剂等应用于碱性介质中的氧气还原反应；同时，本发明方法对初始单壁碳纳米管材料的来源和形态并无限制，具有较为灵活的可控性，成本亦较低。