硼氮共掺杂单壁碳纳米管电子特性研究

摘要

基于第一性原理的密度泛函理论、结合非平衡格林函数方法,计算了硼氮共掺杂情况下单壁碳纳米管的电子结构和输运特性。结果表明:单壁碳纳米管中进行硼氮共掺杂时,硼氮原子更趋向于形成沿管轴方向的硼氮原子对。针对硼氮共掺杂电子效应,从电子结构、态密度、透射系数、电流-电压曲线等方面进行了系统地探讨。硼氮原子对共掺杂显著提升了半导体性单壁管（10,0）的输运特性。而对于金属型（5,5）管的掺杂使得其在小偏压区间内表现出明显的半导体特性。