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公开/公告号CN113445022A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN202110722632.9
发明设计人 李翠平;聂万里;李明吉;李红姬;
申请日2021-06-29
分类号C23C16/22(20060101);C23C16/28(20060101);C23C16/44(20060101);
代理机构12251 天津创智睿诚知识产权代理有限公司;
代理人李薇
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2023-06-19 12:45:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-25
授权
发明专利权授予
机译: 掺硼金刚石薄膜的形成方法,由此制得的掺硼金刚石非沉积成员和用于同一目的的混合薄膜沉积装置
机译: 掺硼金刚石薄膜及其制备方法,油水分离元素,水处理电极及其制备方法和水处理装置
机译: 掺硼金刚石薄膜的超导性
机译:微波辅助化学气相沉积三甲基硼在金刚石(100)衬底上合成的掺硼金刚石薄膜的表面形态和电性能
机译:硼和氮共掺杂金刚石薄膜的电流图像隧穿光谱
机译:硼氮共掺杂纳米金刚石薄膜的电子场发射
机译:掺硼金刚石薄膜电极的结构-功能关系及其在体外安培测量中的应用。
机译:掺硼金刚石中硼碳纳米片和双层膜的形成:金属性和超导性的起源
机译:掺硼CVD金刚石薄膜。第一部分历史,生产和表征硼掺杂CVD金刚石薄膜。第一部分。历史,生产和表征
机译:垂直排列的BCN纳米管作为氧还原反应的高效无金属电催化剂:通过共掺杂硼和氮的协同效应。