アーク放電法による窒素をドープした単層カーボンナノチューブの生成

摘要

窒素をドープしたナノチューブは、その相対的な配置によって金属または半導体になることが予測されている。 また理論計算の結果からナノチューブを構成する炭素原子と窒素原子の比がCNおよびC_3N_4のものは安定であると報告されている。（C_3N_4はダイヤモンドより硬いと予測されている。 ）これまでに多層ナノチューブに窒素やホウ素をドープした研究は多くなされている。 一方で単層ナノチューブにドープした研究は少なく、触媒金属を混合した炭素棒を窒素雰囲気でアーク放電して得られた場合などが知られているのみである。本研究ではアーク放電法を用い、以下に記す2つの生成方法で窒素をドープした単層カーボンナノチューブ（SWNT）を生成した。