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用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法

摘要

本发明结合有序多孔硅可室温检测氮氧化物的优势,公开了一种结构新颖、制作工艺简单的用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法,采用水热法将有序多孔硅与一维氧化钨纳米结构复合形成新的复合结构气敏材料,其具有巨大的比表面积和较大的表面活性,可提供大量的吸附位置和扩散通道,从而克服了基于一维氧化钨纳米结构气敏材料工作温度较高的缺陷,制备出一种可在室温条件下有效检测氮氧化物的多孔硅基氧化钨复合结构气敏传感器元件。

著录项

  • 公开/公告号CN104634825A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201510044250.X

  • 申请日2015-01-28

  • 分类号G01N27/00;

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人宋洁瑾

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-12-18 08:54:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N27/00 申请公布日:20150520 申请日:20150128

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-06-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/00 申请日:20150128

    实质审查的生效

  • 2015-05-20

    公开

    公开

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