具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET

摘要

本发明提供了一种具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET。提供了一种晶体管器件和用于形成纳米线场效应晶体管(FET)的方法。形成包括源极区和漏极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。在源极区和漏极区的下面形成蚀刻停止层。蚀刻停止层包括介于半导体衬底与源极区和漏极区之间的支撑结构。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空的纳米线沟道下面的牺牲材料而形成。该蚀刻对于牺牲材料具有选择性以防止去除源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

说明书

技术领域

本公开所描述的技术总体涉及基于纳米线的器件，更具体地，涉及基 于纳米线的场效应晶体管(FET)及其制造方法。

背景技术

围栅(GAA)纳米线沟道场效应晶体管(FET)可以使得部件缩小比例超 过目前的平面互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。纳米线沟道FET还 可因为其可优于传统FET器件的静电场而具有价值。纳米线沟道FET的制 造可包括生成纳米线束并将它们放置在需要的地方(例如，自底向上的方 法)或者可包括各种光刻图案化步骤。

发明内容

本公开涉及一种晶体管器件以及用于形成纳米线场效应晶体管(FET) 器件的方法。在用于形成纳米线FET器件的方法中，形成包括源极区和漏 极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。蚀刻停止 层形成在源极区和漏极区的下面。蚀刻停止层包括介于半导体衬底与源极 和漏极区之间的支撑结构。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空纳米线沟道 下方的牺牲材料而形成。蚀刻对于牺牲材料具有选择性以防止去除位于源 极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

根据本发明的一方面提供了一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET) 器件的方法，所述方法包括：形成包括源极区和漏极区的器件层，所述源 极区和所述漏极区通过悬空的纳米线沟道连接；在所述源极区和所述漏极 区下面形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括介于半导体衬底与所述源极 区和漏极区之间的支撑结构；以及形成悬空的纳米线沟道，所述悬空的纳 米线沟道通过蚀刻所述悬空的纳米线沟道下面的牺牲层材料形成，所述蚀 刻对于所述牺牲材料具有选择性以防止去除所述源极区和所述漏极区下面 的所述蚀刻停止层。

在该方法中，还包括：形成所述蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层 包括掺碳的硅层；以及蚀刻所述牺牲材料，其中，所述牺牲材料包括SiGe。

在该方法中，还包括利用外延工艺来形成所述掺碳的硅层。

在该方法中，还包括：在所述半导体衬底中形成具有第一导电类型的 阱；以及形成所述掺碳的硅层，其中，所述掺碳的硅层的电阻率特征使得 所述掺碳的硅层将所述源极区、所述漏极区或所述悬空的纳米线沟道与所 述阱电隔离。

在该方法中，还包括：在所述半导体衬底中形成具有第一导电类型的 阱；通过注入工艺在所述阱中形成具有所述第一导电类型的反穿通层；以 及形成所述掺碳的硅层，其中，所述掺碳的硅层i)邻近于所述源极区或所 述漏极区，并且ii)邻近于所述反穿通层。

在该方法中，所述第一导电类型是p型。

在该方法中，所述第一导电类型是n型。

在该方法中，还包括：形成所述源极区，其中，所述源极区包括SiP； 形成所述漏极区，其中，所述漏极区包括SiP；以及形成所述掺碳的硅层， 其中，所述掺碳的硅层邻近于所述源极区或者所述漏极区，并且所述掺碳 的硅层减小了SiP向FET器件的部分的扩散。

在该方法中，还包括：对所述器件层和所述蚀刻停止层进行高温处理， 其中，所述掺碳的硅层减小了所述SiP在所述高温处理期间的扩散。

在该方法中，还包括：形成所述蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层 包括：未掺杂的硅层，和所述掺碳的硅层，i)邻近于所述源极区或所述漏 极区，并且ii)垂直堆叠在所述未掺杂的硅层的上方。

在该方法中，还包括：形成所述未掺杂的硅层，其中，所述未掺杂的 硅层邻近于所述半导体衬底。

在该方法中，还包括：形成所述源极区，其中，所述源极区包括SiP； 形成所述漏极区，其中，所述漏极区包括SiP；以及形成所述掺碳的硅层， 其中，所述掺碳的硅层减小了SiP向所述未掺杂的硅层和所述半导体衬底 的扩散。

在该方法中，还包括：形成所述蚀刻停止层，其中，所述未掺杂的硅 层的厚度大于所述掺碳的硅层的厚度。

在该方法中，还包括：在所述半导体衬底中形成具有第一导电类型的 阱；通过注入工艺在所述阱中形成具有所述第一导电类型的反穿通层；以 及形成所述未掺杂的硅层，其中，所述未掺杂的硅层邻近于所述反穿通层。

在该方法中，还包括：形成所述蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层 包括：掺硼的硅层，和所述掺碳的硅层，i)邻近于所述源极区或所述漏极 区，并且ii)垂直堆叠在所述掺硼的硅层的上方。

在该方法中，还包括：形成所述掺硼的硅层，其中，所述掺硼的硅层 邻近于所述半导体衬底。

在该方法中，还包括：利用第一外延工艺来形成所述掺硼的硅层；以 及利用第二外延工艺来形成所述掺碳的硅层。

在该方法中，还包括：形成所述源极区，其中，所述源极区包括SiP； 形成所述漏极区，其中，所述漏极区包括SiP；以及形成所述掺碳的硅层， 其中，所述掺碳的硅层减小了SiP向所述掺硼的硅层的扩散。

在该方法中，还包括：形成所述蚀刻停止层，其中，所述掺硼的硅层 的厚度小于所述掺碳的硅层的厚度。

在该方法中，还包括：在所述半导体衬底中形成具有第一导电类型的 阱；以及通过外延工艺形成所述掺硼的硅层，其中，所述掺硼的硅层是反 穿通层，并且所述FET器件不包括通过注入工艺形成的反穿通层。

在另一个实例中，在形成纳米线FET器件的方法中，形成包括源极区 和漏极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。蚀刻 停止层形成在源极区和漏极区的下面。该蚀刻停止层包括掺碳的硅层、未 掺杂的硅层以及掺硼的硅层。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空的纳米线 沟道下方的牺牲材料而形成。蚀刻对于牺牲材料具有选择性以防止去除位 于源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

根据本发明的另一方面提供了一种形成纳米线场效应晶体管(FET) 器件的方法，所述方法包括：形成包括源极区和漏极区的器件层，所述源 极区和所述漏极区通过悬空的纳米线沟道连接；在所述源极区和所述漏极 区下面形成蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层包括：掺碳的硅层，未掺 杂的硅层，和掺硼的硅层；以及通过蚀刻位于所述悬空的纳米线沟道下面 的牺牲材料形成所述悬空的纳米线沟道，所述蚀刻对于所述牺牲材料具有 选择性以防止将所述源极区和所述漏极区下面的所述蚀刻停止层去除。

在该方法中，其中，所述掺碳的硅层邻近于所述源极区或所述漏极区， 所述掺硼的硅层邻近于半导体衬底，以及所述未掺杂的硅层垂直堆叠在所 述掺硼的硅层的上方。

在另一个实例中，晶体管器件包括半导体衬底及包括源极区和漏极区 的器件层。源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。该晶体管器件还包 括位于源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。该蚀刻停止层包括介于半导体 衬底与源极和漏极区之间的支撑结构。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空 的纳米线沟道下方的牺牲材料而形成，其中蚀刻对于牺牲材料具有选择性 以防止去除位于源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

根据本发明的再一方面提供了一种晶体管器件，包括：半导体衬底； 器件层，包括源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区由悬空的纳米线 沟道连接；以及位于所述源极区和所述漏极区下面的蚀刻停止层，所述蚀 刻停止层包括介于所述半导体衬底与所述源极区和漏极区之间的支撑结 构，其中，所述悬空的纳米线沟道通过蚀刻所述悬空的纳米线沟道下面的 牺牲材料形成，所述蚀刻对于所述牺牲材料具有选择性以防止将所述源极 区和所述漏极区下面的所述蚀刻停止层去除。

附图说明

图1A、图1B、图1C以及图1D是示出了制造围栅(GAA)基于纳米线 场效应晶体管(FET)的示例性方法的示意图。

图2A、图2B、图2C以及图2D是示出了制造具有包括未掺杂硅层的 蚀刻停止层的基于纳米线的FET的示例性方法的示意图。

图3A、图3B、图3C以及图3D是示出了制造具有包括掺硼的硅层的 蚀刻停止层的基于纳米线的FET的示例性方法的示意图。

图4是示出了形成纳米线场效应晶体管器件的示例性方法的流程图。

具体实施方式

图1A、图1B、图1C和图1D是示出制造围栅(GAA)纳米线沟道场效 应晶体管(FET)的示例性方法的示意图。如图1A和图1C所示，该基于 纳米线的FET可包括源极区104、漏极区106以及连接该源极区104和漏 极区106的纳米线沟道102。除了其他材料之外，源极区104和漏极区106 每个都可包括磷化硅(SiP)。除了其他类型之外，该纳米线沟道102可包 括硅纳米线。在完整的制造状态下，栅极(未在图1A至图1D中示出)可 围绕(例如，环绕)纳米线沟道102，其中，栅极可用于调整流经源极区 104和漏极区106之间的纳米线沟道102的电流。

图1A可示出在制造基于纳米线的FET过程中的示例性中间阶段的截 面图。具体地，图1A可示出FET在去除伪栅结构之后的状态，其中，伪 栅结构的去除限定了将器件的纳米线沟道102从源极区104和漏极区106 中区分开的沟槽138。如图1A中所示，层间介电(ILD)层118可形成在 源极区104和漏极区106之上。可选的间隔件120可形成在沟槽138中， 其中间隔件120可设置在源极区104和漏极区106与将要形成在沟槽138 中的器件栅极之间。除了其他功能之外，间隔件120可用于使完工的器件 中的寄生电容最小化，并且可防止栅极-源/漏极之间的短路。间隔件120 还用以使栅极偏离源极区104和漏极区106一定距离。

牺牲层114可形成在纳米线沟道102的下方，其中牺牲层114基本形 成在半导体衬底的上方。半导体衬底可包括具有第一导电类型(例如，P 型或N型)的阱112，其中阱112可通过离子注入工艺形成。例如，半导 体衬底可以是块状N型硅晶圆，而阱112可以是P型阱。相反地，半导体 衬底可以是块状P型硅晶圆，而阱112可以是N型阱。在其他实例中，阱 112可以与半导体衬底具有相同的导电类型。此外，在其他实例中，半导 体衬底可以是绝缘体上半导体或者绝缘体上硅(SOI)衬底。在阱112中， 反穿通(APT)层116可通过注入工艺形成。APT层116可用于减小FET 器件中的穿通(例如，其中零栅偏压漏极电流随着V_DS增大而增大)，并 且APT层116可以具有第一导电类型或者第二导电类型。因此，牺牲层114 可基本形成在半导体衬底的阱112和APT层116的上方。

可以通过蚀刻纳米线沟道102下方的牺牲层114来将纳米线沟道102 从半导体衬底上释放出来(例如，形成悬空的纳米线沟道102)。这在图 1C中示出，其中已经将牺牲层114蚀刻掉，从而在牺牲层114的位置处留 出空区124。牺牲层114可包括例如硅锗(SiGe)，其中锗可包括硅锗合 金的20％至55％(例如，Si_1-xGe_x，其中x在约20％至55％的范围内)。例 如，可利用化学腐蚀剂或者利用干法蚀刻工艺对牺牲层114进行蚀刻以形 成图1C中的空区124。

图1A和图1C还示出了形成在该结构的源极区104和漏极区106下方 的蚀刻停止层108和110。蚀刻停止层108和110可包括位于半导体衬底 与源极区104和漏极区106之间的支撑结构，其中该结构在蚀刻牺牲层114 之前和之后支撑源极区104和漏极区106。蚀刻停止层108和110可由例 如掺碳的硅组成。可利用外延生长工艺来形成用于蚀刻停止层108和110 的掺碳的硅。

可对蚀刻停止层108和110进行选择以包括相对于牺牲层114具有高 蚀刻速率选择性的材料。蚀刻速率选择性可被定义为目标材料(即，此处 指要被蚀刻的牺牲层114)的蚀刻速率与其他材料(即，此处指在蚀刻牺 牲层114的过程中优选不被蚀刻的蚀刻停止层108和110)的蚀刻速率的 比率。因此，可选择蚀刻停止层108和110，使得当牺牲层114被蚀刻成 使得纳米线沟道102悬空时，以相比于牺牲层114大幅降低的蚀刻速率来 蚀刻蚀刻停止层108和110。在掺碳的硅和SiGe之间存在高的蚀刻速率选 择性，使得当SiGe用作牺牲层114时，掺碳的硅可为适于蚀刻停止层108 和110的材料。使用蚀刻停止层108和110可以防止在去除牺牲层114的 过程中在源极区104和漏极区106下面的钻蚀。

在不使用蚀刻停止层108和110的用于基于纳米线的FET器件的传统 制造技术中，牺牲层114可在源极区104和漏极区106的下方延伸。在这 种传统的制造技术中，当蚀刻牺牲层114时，可在源极区104和漏极区106 的下方发生钻蚀。钻蚀可引起对源极区104和漏极区106下方的牺牲层114 进行蚀刻，这种蚀刻可能是不期望的并且可造成源极区104和漏极区106 缺少结构性支撑。例如，在传统的制造技术中，蚀刻可能是各向同性的， 从而在源极区104和漏极区106的下方造成明显的钻蚀。通过使用蚀刻停 止层108和110，蚀刻对于牺牲层114而言可以是有选择性的，从而基本 防止了蚀刻停止层108和110的去除，并且基本防止了源极区104和漏极 区106下方的钻蚀。

在制造基于纳米线的FET器件的过程中，蚀刻停止层108和110可提 供其他功能。例如，在形成FET器件的过程中，可使用高温处理(例如， 高温栅极圆化和氧化处理)。高温处理可使得源极区104和漏极区106中 的SiP向下扩散(例如，自上而下扩散)。在蚀刻停止层108和110包括 掺碳的硅的示例性结构中，蚀刻停止层108和110可作为SiP扩散停止层， 从而基本上防止SiP在高温处理中向下扩散。还可选择具有高电阻率的蚀 刻停止层108和110。例如，掺碳的硅可比未掺杂的硅具有更高的电阻率。 因此，当蚀刻停止层108和110中包含掺碳的硅时，较高的电阻率可使得 掺碳的硅将源极区104、漏极区106或者纳米线沟道102与形成在半导体 衬底中的阱112(例如，P阱)电隔离。

图1B示出了图1A中所示的结构的截面切片，同时图1A的结构在图 1B中被旋转了90度。图1D示出了图1C中所示的结构的截面切片，同时 图1C的结构在图1D中被旋转了90度。如图1B和1D中所示，牺牲层114 可设置在纳米线沟道102的下面，从而当去除牺牲层114时，可将纳米线 沟道102悬空在空区124之上。图1B和图1D还示出了半导体衬底122和 形成在其中的阱112。半导体衬底可包括作为FET制造工艺的一部分而形 成在其中的浅沟道隔离(STI)区域。在图1B和图1D的视图中，沟槽138 可由向下延伸至半导体衬底122的ILD层118和间隔件材料120围绕。

图2A、图2B、图2C以及图2D是示出用于制造具有包括未掺杂的硅 层210的蚀刻停止层的基于纳米线的FET的示例方法的示意图。如图2A 和图2C所示，基于纳米线的FET可包括源极区204、漏极区206以及连接 源极区204和漏极区206的纳米线沟道202。除了其他材料之外，源极区 204和漏极区206每个都可包括磷化硅(SiP)。除了其他类型之外，纳米 线沟道202可包括硅纳米线。在完整制造的状态中，FET可包括围绕纳米 线沟道202的栅极(未在图2A至图2D中示出)，使得FET可以是围栅 (GAA)FET。

图2A可示出在制造基于纳米线的FET的过程中的示例性中间阶段的 截面图。具体地，图2A可示出在FET去除伪栅结构之后的的状态，其中， 伪栅结构的去除限定了将器件的纳米线沟道202与源极区204和漏极区206 区分开的沟槽238。如图2A所示，层间介电(ILD)层218可形成在源极 区204和漏极区206之上。可选的间隔件220可形成在沟槽238中，其中 间隔件220可设置在源极区204和漏极区206与将要在沟槽238中形成的 器件的栅极之间。

牺牲层214(例如，包括Si_1-xGe_x，其中x在约20％至55％的范围内) 可形成在纳米线沟道202的下面，并且基本上位于半导体衬底的上方。半 导体衬底可包括具有第一导电类型的阱212，其中阱212可通过注入工艺 形成。在阱212中，可形成离子注入反穿通(APT)层216。该APT层216 可以具有第一导电类型或者第二导电类型。可通过蚀刻纳米线沟道202下 面的牺牲层214而将纳米线沟道202从半导体衬底上释放。这在图2C中示 出，其中，已经将牺牲层214蚀刻掉，从而在牺牲层214的位置中留下空 区224。

图2A和2C还示出了可形成在结构的源极区204和漏极区206下方的 蚀刻停止层208和蚀刻停止层210。蚀刻停止层208和210可包括位于半 导体衬底与源极区204和漏极区206之间的支撑结构。每个蚀刻停止层都 可包括例如掺碳的硅，其可与上面图1A至图1D中所述的掺碳的硅类似。 蚀刻停止层208中掺碳的硅可邻近于源极区204和漏极区206，并且可以 垂直堆叠在蚀刻停止层210的上方。可以利用外延生长工艺形成蚀刻停止 层208中掺碳的硅。

蚀刻停止层210可包括例如未掺杂的硅。如图2A和2C中所示，蚀刻 停止层210中未掺杂的硅可邻近于半导体衬底。特别地，在某些实施例中， 蚀刻停止层210中的未掺杂的硅可邻近于APT层216或者阱212的其他部 分。如图2A和2C中所示，未掺杂的硅层210的厚度可大于掺碳的硅层208 的厚度。可选地，未掺杂的硅层210的厚度可小于掺碳的硅层208的厚度， 或者层208和层210可具有相同或相似的厚度。

可对蚀刻停止层208和210进行选择以包括相对于牺牲层214具有高 蚀刻速率选择性的材料。因此，可选择蚀刻停止层208和210，使得当牺 牲层214被蚀刻成使得纳米线沟道202悬空时，可以相比于牺牲层214大 幅降低的速率来蚀刻停止层208和210。在掺碳的硅和未掺杂的硅与SiGe 之间都存在高蚀刻速率选择性，使得当SiGe用作牺牲层214时，掺碳的硅 可以是适于蚀刻停止层208的材料，而未掺杂的硅可以是适于蚀刻停止层 210的材料。蚀刻停止层208和210的使用可以防止在去除牺牲层214的 过程中在源极区204和漏极区206下面的钻蚀。

在制造基于纳米线的FET器件的过程中，蚀刻停止层208和210可提 供其他功能。例如，在形成FET器件的过程中，可使用高温处理。高温处 理可使得源极区204和漏极区206中的SiP向下扩散(例如，自上而下扩 散)。在蚀刻停止层208包括邻近于源极区204和漏极区206的掺碳的硅 的示例性结构中，掺碳的硅可作为SiP扩散停止层，从而防止SiP在高温 处理过程中向下扩散。掺碳的硅可防止SiP扩散至未掺杂的硅层210和结 构的其他部分(例如，半导体衬底)。

图2B示出了图2A中所示的结构的截面切片，同时图2A的结构在图 2B中被旋转90度。图2D示出了图2C中所示的结构的截面切片，同时图 2C的结构在图2D中被旋转90度。如图2B和2D中所示，牺牲层214可 位于纳米线沟道202的下面，从而当去除牺牲层214时，纳米线沟道可以 悬空在空区224之上。图2B和2D还示出了半导体衬底222和形成在其中 的阱212。在图2B和2D的示图中，沟槽238可由向下延伸至半导体衬底 222的ILD层218和间隔件材料220围绕。

图3A、图3B、图3C和图3D是示出用于制造具有包括掺硼的硅层310 的蚀刻停止层的基于纳米线的FET的示例性方法的示意图。如图3A和3C 中所示，基于纳米线的FET可以是包括源极区304、漏极区306以及连接 源极区304和漏极区306的纳米线沟道302的围栅(GAA)FET。除了其 他材料之外，源极区304和漏极区306每个都可包括磷化硅(SiP)。除了 其他类型之外，纳米线沟道202可包括硅纳米线。图3A可示出FET去除 伪栅极结构之后的状态，其中伪栅极结构的去除限定了沟槽338。如图3A 中所示，层间介电(ILD)层318可形成在源极区304和漏极区306之上。 可选的间隔件320可形成在沟槽338中。

牺牲层314可形成在纳米线沟道302的下方并且基本上位于半导体衬 底的上方，同时牺牲层314包括例如硅锗(SiGe)，其中锗可包含硅锗合 金的20％至55％(例如，Si_1-xGe_x，其中x在约20％至55％的范围内)。半 导体衬底可包括具有第一导电类型的阱312，其中阱312可通过离子注入 工艺形成。对比图1A、图1C、图2A和图2C中所示的示例性结构，图3A 和图3C中的示例性结构可不包括注入的反穿通(APT)层。如下面更详细 的描述，掺硼的硅层310可执行类似于APT层所执行的功能，使得APT 层可不形成在图3A和图3C的示例性结构中。可通过蚀刻纳米线沟道302 下方的牺牲层314将纳米线沟道302从半导体衬底上释放。这在图3C中示 出，其中已经将牺牲层314蚀刻掉，从而在牺牲层314的位置中留下空区 324。

图3A和3C还示出了形成在结构的源极区304和漏极区306下面的蚀 刻停止层308和310。蚀刻停止层308可包括例如掺碳的硅，其中蚀刻停 止层308中掺碳的硅邻近于源极区304和漏极区306，并且垂直堆叠在蚀 刻停止层310的上方。可利用外延生长工艺来形成蚀刻停止层308中的掺 碳的硅。

蚀刻停止层310可包括例如掺硼的硅。如图3A和图3C中所示，蚀刻 停止层310中的掺硼的硅可邻近于半导体衬底。用于蚀刻停止层310的掺 硼的硅可利用外延生长工艺来形成。掺硼的硅层310的厚度可小于掺碳的 硅层308的厚度。可选地，掺硼的硅层310的厚度可大于掺碳的硅层308 的厚度，或者层308和层310可具有相同或类似的厚度。

可选择蚀刻停止层308和310以包括相对于牺牲层314具有高蚀刻速 率选择性的材料。例如，牺牲层314可以是SiGe，而蚀刻停止层308和310 可分别包括上述的掺碳的硅材料和掺硼的硅材料，以远比SiGe低的蚀刻速 率来蚀刻它们。使用蚀刻停止层308和310可防止在去除牺牲层314的过 程中在源极区304和漏极区306的下面发生钻蚀。

在基于纳米线的FET器件中，蚀刻停止层308和310可提供其他功能。 例如，层308中掺碳的硅的材料可减小SiP在高温处理(例如，栅极圆化 和氧化处理)后从源极区304和漏极区306向下扩散(即，自上而下的扩 散)。因此，掺碳的硅可防止SiP扩散至例如掺硼的硅层310和该结构的 其他部分(例如，半导体衬底)。此外，如上所述，外延生长的掺硼的硅 层310可用作反穿通(APT)层，其可消除对APT注入区的需求(例如， 如图3A和3C中所示，标注为“无APT注入”)。

图3B示出了图3A中所示的结构的截面切片，同时图3A的结构在图 3B中被旋转90度。图3D示出了图3C中所示的结构的截面切片，同时图 3C的结构在图3D中被旋转90度。如图3B和3D中所示，牺牲层314可 位于纳米线沟道302的下方，从而当去除牺牲层314时，纳米线沟道可悬 空在空区324之上。图3B和3D还示出了半导体衬底322和形成在其中的 阱312。在图3B和3D的示图中，沟槽338可由向下延伸至半导体衬底322 的ILD层318和间隔件材料320围绕。

图1A至图1D、图2A至图2D以及图3A至3D描述了三个示例性结 构以及用于形成纳米线FET的方法。然而，应该意识到，可将来自三个不 同结构和方法的各个方面组合从而形成多种附加的结构和方法。例如，一 个这样的附加结构可包括蚀刻停止层，而蚀刻停止层包括垂直堆叠的掺碳 的硅层、未掺杂的硅层以及掺硼的硅层。该附加的结构可包括APT注入或 者不包括APT注入。通过组合图1A至图1D、图2A至图2D以及图3A至 图3D的各个方面可形成其他各种结构和方法。

图4是示出了用于形成纳米线场效应晶体管器件的示例性方法的流程 图。在步骤402中，形成包括源极区和漏极区的器件层，其中源极区和漏 极区通过悬空的纳米线沟道连接。在步骤404中，在源极区和漏极区下面 形成蚀刻停止层。该蚀刻停止层包括介于半导体衬底与源极区和漏极区之 间的支撑结构。在步骤406中，形成悬空的纳米线沟道，其通过蚀刻位于 该悬空的纳米线沟道下面的牺牲层材料来形成。该蚀刻对于牺牲材料是有 选择性的以防止去除源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

本书面描述利用实例来公开本公开(包括最优模式)，而且还使本领 域的技术人员制作和使用本公开。本公开的可授权的范围可包括其他实例。 应该理解的是，除非上下文中另有明确指示，如此处的描述中以及下面整 个权利要求中所使用的，“一”，“一个”和“该”的含义包括复数的指 代。而且，除非上下文中另有明确指示，如在此处描述中以及下面整个权 利要求中所使用的，“在…之内”的意思包括“在…之内”和“在…上面”。 此外，除非上下文中另有明确指示，如此处的描述中以及下面整个权利要 求中所使用的，“每个”的意思不要求“每个”和“每一个”。最后，除 非上下文中另有明确指示，如此处描述中以及下面整个权利要求中所使用 的，“和”和“或”的意思均包括连接词和反义连接词，并且可以交换使 用；短语“不包括”可用于指代仅仅反义连接的含义可适用的情况。