导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法

摘要

本发明提供一种具有易于通过热处理来结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。该导电膜用原料具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层。上述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。